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[参考译文] SN74GTL2003：IC 功能检查

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74GTL2003, LSF0108
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1396637/sn74gtl2003-ic-function-check

器件型号：SN74GTL2003
主题中讨论的其他器件： LSF0108

工具与软件：

你(们)好

我的客户想与您协商、讨论 SN74GTL2003的内部 MOS 行动原则。 下图是 SN74GTL2003的内部电路。 从图中可以看出、该图显示了当前接线方法和操作。 但是、客户非常好奇、从操作的角度来看、N-MOS VGS 如果将其打开、VDS 也将打开。 从逻辑上讲、D1也将是1.8V。 D1 3.3V 的电势为何？

谢谢！

Boyan

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Boyan：

    这组 Logic Minute 视频有助于弄清楚内部 FET 的功能： https://www.ti.com/video/series/understanding-the-lsf-family-of-bidirectional--multi-voltage-lev.html (GTL2003和 LSF0108都有相似的电平转换架构)。  

     如果仍不清楚、请进一步说明。

    谢谢！

    插孔  

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Jack：

    感谢您分享有关电平转换简介的视频。 看完这个视频后、我仍然不知道内部 FET 的操作原理、因为它只介绍电平位移 IC 的简单操作。  正如 Boyan 在介绍内部逻辑电路时提到的、我要和大家分享比较多关系的 内部逻辑电路简介、然后逐步介绍。  

    Jeff

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    流入和流出 SREF 的电流受电阻器的限制。 因此、GREF 刚好处于阈值电压、即只有很小的电流可以流动。

    当 D1是输入时、FET 的 RDS 非常大、以至于 S1无法高于1.8V。(S1处的上拉电阻可使输出电压更稳健。)
    当 S1是输入时、FET 的 RDS 非常大、以至于 D1上的电压由上拉电阻器决定。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Clement、

    感谢您对我的真实问题的详细解释。 因此、电平转换设计的 FET 是大 RDS 的异常规格、对吗？ 当 S1是一个输入和电压电平转换为低电平和 DI 拉至高电平1k Ω 时,是否存在 D1无法 转换为低电平的可能性?

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    我不明白你是什么意思"异常"。

    当 S1是具有低逻辑信号的输入时、栅源极电压足够大、使 RDS 非常低。 将 S1拉至低电平的器件也会通过1 kΩ 上拉电阻灌入电流。