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[参考译文] SN74LVTH16245A:为 SIP 设计寻找 mil 规格(-55 - 125C) TTL (5V)到 CMOS (3.3V)电平转换器

Guru**** 2481465 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1473536/sn74lvth16245a-looking-for-a-mil-spec--55---125c-ttl-5v-to-cmos-3-3v-level-shifter-for-a-sip-design

器件型号:SN74LVTH16245A
主题中讨论的其他器件: EP、EP EPEP

工具与软件:

这是我的设计问题。  我有13个输入需要支持5V TTL 逻辑电平(VIL:0 - 0.8V、VIH:2V - 5V)、然后电平转换到3.3V。  我正在开发 SiP 设计、因此封装尺寸至关重要。

 从规格的角度来看、SN74LVTH16245A-SPEC EP 是非常理想的、但 mil 规格封装是16mm x 10mm。  该部件采用可正常工作的 VBGA 封装、但该封装的额定温度仅为-40 - 85C。   

1.我要找的是两点-有人知道为什么每个封装的温度等级不同吗?

2.任何人是否有小于16mm x 10mm 的其他解决方案想法?

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    1、测试比较贵,我想到目前为止还没有客户。

       ×TSSOP 封装的×Ω SN74AHC244-VQFN 或 EP EP 具有2mm× 6.5mm× 6.4mm;×采用 EP 封 装的2m Ω SN74LVC8T245-VSOP 具有2mm× 5.5mm × 3.5mm;采用 EP 封装的 SN74LVCH16T245-VSOP 具有9.7mm 6.4mm。

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    感谢您提供上述建议、但这些器件均不具有真正的 TTL 输入电平 VIL:0 - 0.8V、VIH:2V - 5V。

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    在3.3V 电源下、LVC 器件具有这些开关阈值。

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    很好的收获!  好的-那么如果我在 VCC = 3.3V 的情况下将输入驱动至5V、我是否会正向偏置 ESD 二极管并从而注入电流?  我想我可以使用电阻器来限制电流。

    进行了一些挖掘并在 TI 的《低电压逻辑(LVC)设计人员指南》中找到了本手册(第29页)

    案例1案例1解决了驱动3.3V TTL 器件的5V TTL 器件。 如图1–1所示、5V TTL 和3.3V LVC 的开关电平相同。 由于5V 容限器件可承受6.5V 的直流输入、因此连接这两个器件无需额外的元件或进一步的设计工作。 TI 的纵横技术(CBT)开关可用于从5V TTL 转换为无法承受5V 电压的3.3V 器件。 这是通过使用外部二极管和 CBT (场效应晶体管的栅源压降为1V)产生0.7V 的压降(将5V 降至4.3V)来实现的、从而产生3.3V 的净电平。 TI 生产了一款 CBTD 器件、该器件将二极管集成到芯片中、因此无需使用外部二极管。

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    此外-您是否知道 IBIS 模型是否正确地对此场景进行了建模?  Vin = 5V、Vcc = 3.3V?

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    所有这些器件都具有不带 VCC 二极管的可过压输入;请参阅 [常见问题解答]逻辑器件的输入电压(Vi)是否可以高于电源电压(Vcc)?

    IBIS 模型应该对此进行正确建模。