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器件型号：SN74AVC4T245 工具与软件：
大家好、
从 SN74AVC4T245的数据表中可以看出、驱动强度(高电平与低电平)是对称的。 IBIS 模型、在1兆欧姆测试负载下的情况下、显示它们是不同的。 TI 网站上此器件的 x16版本显示了 HSpice 模型。 当以类似方式测试此 HSpice 模型时、它不会表现出与 IBIS 相同的行为-它具有相似的驱动高/低强度、并且更符合预期。
x16 HSpice 模型是否有效、可用作 x4器件的独立组件？ x16 HSpice 模型行为是否反映了实际的器件行为？ 这是否会对 IBIS 模型的精度产生疑问？
此致、
Steve
