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您好！
是否存在任何有关 DRV8412和 DRV8962之间功率耗散差异的信息或假设。 与 DRV8412相比、DRV8962的内部 MOSFET 的 Rdson 已经降至一半、但有任何迹象表明、与 DRV8412相比、DRV8962中的开关损耗也更低。 开关损耗降低了多少、是否可以近似假设%？
提前感谢您
此致
Thomas
您好、Thomas：
感谢您的提问。
总功率损耗由三个主要部分组成：导通损耗(PCOND)、开关损耗(PSW)和静态电流消耗导致的功率损耗(PQ)。
其中：
PCOND = 2 x (IRMS) x (IRMS) x (RDS (ONH)+ RDS (ONL))
PSW_RISE = 0.5 x VVM x IRMS x TRF x fPWM
PSW_FALL = 0.5 x VVM x IRMS x TRF x fPWM
PQ = VVM x IVM
如下表所示、DRV8962 RDSonh 和 RDSonl 会随结温的不同而变化。 此外、它有两个上升和下降时间模式。 要一起比较这些器件、应在特定条件下进行。
但是、在开关损耗的情况下、DRV8962器件有两个选项：70ns 和140ns、DRV8412具有等于14ns 的较短上升/下降时间。 因此、与 DRV8962相比、DRV8412具有更低的开关损耗。
此致、
Mojtaba。
