[参考译文] DRV8353R：DRV8353SRTAR IC 故障调试

嘿、Akash、

我将尝试帮助解决此问题。  

1)这些是您测试过的前4个单元吗?

2)您如何确认损坏? 使用良好的器件进行阻抗测量？

3)是否有任何具体的测试/有关发生损坏时所执行的操作的更多信息?

此致、

Akshay

您好 Akshay。

感谢您的答复。
我想更恰当地解释我的问题。
1.) 是的、这是我们测试过的4个器件。

2.) IC 的1和2由于我们团队的设计问题而损坏、我们将 DVDD 稳压器上拉至3个引脚、这会消耗40mA 电流、但根据数据表、它只能提供10mA、因此我认为 DVDD 稳压器进入 CC 模式并短接 DVDD 引脚和 GND 引脚、因此我们无法产生 PWM
3.）IC 3因 MCU 使能引脚上存在一些电压尖峰而表现出不良、这会将 MCU 使能引脚中的内部 TVS 短接至地、因为在万用表二极管模式下显示0.001V 的压降、在电阻器模式下显示15 Ω 的电阻、未发生 SPI、也没有栅极脉冲。(这也可能是布局问题；我们仍在调试此问题)

4.) 第4个 IC SPI 通信仍在进行中、但没有 PWM、因为始终存在 OTS 故障。 故障位锁存在该故障上、我们也无法清除该位、因此没有 PWM。

请尝试帮助我们调试 IC 3和 IC 4问题、因为 IC 1和2认为我们造成了设计错误。

嘿、Akash、

感谢您的澄清。  

3)您是如何确认第三个装置中的 DRV IC 损坏的? 如果 MCU 损坏、更换 MCU 时器件是否会收到正确的信号？ 如果驱动器未启用并激活、则说明不会切换栅极是合理的。

4)这是否与以下 E2E 中描述的问题相同？

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1485254/drv8353r-drv8353r-went-into-ots-and-isnt-working-after-i-let-it-cool-over-night

如果是、我们将在该线程上调试此问题。

此致、

Akshay

3.) 是的、我们更换了 IC 并建立了通信、以确保使能 IC 在前一个芯片中损坏
4.) 是的、这是我面临的同一个问题。 我应用了您提供的所有说明、但没有解决问题。
一周后对相同内容的简短更新
因此、我们将 IC 3替换为 IC 5、并使用电阻负载和电机负载测试了我们的控制器。
电阻负载在示波器上显示出预期的输出和所需的波形、但在我们开始使用 PMSM 电机测试电路板并开始更改 PWM 占空比以使电机旋转的那一刻、如前面针对 IC4所述、IC5进入故障模式、显示欠压和过热关断故障。 在我们将两个 IC 打开的那一刻、它们都超过了150°C。
我们对 IC 4和5进行了一些测量、发现 GB_LS 发生了接地短路、这可能会损坏 IC、我们仍然需要帮助了解栅极引脚接地短路的原因、但是 IC 5中没有这样的问题。

尊敬的 Akash：

感谢您的更新！ 如果 IC4和 IC5上的 GB_LS 都短接至地、我强烈怀疑 GLx 至 GND 或 SLx 至 GND 上存在绝对最大值或绝对最小值违例。 电感尖峰会使电机中流动的电流越大、最终可能导致驱动器损坏。 这 在很大程度上还取决于 MOSFET 压摆率的速度。 您使用的 IDRIVE 配置是什么？ 什么是 MOSFET Qgd？

此致、

Anthony Lodi

尊敬的 Anthony：
GB_LS 仅短接到 IC4而不是5、我们仍在尝试调试 IC5失败的原因。
我知道电感尖峰可能是电机负载的一个问题、但我们以30°(梯形控制)的增量移动电机、并且没有完全旋转电机。(PWM、50%占空比为10kHz、12.6us 死区时间)
同样、在空载时、我们的电机消耗的最大 并且我们的电源线中还有一个6A 保险丝、因此大电流不应该成为一个因素。
这些参数-
高侧驱动器的300 mA 充电电流和700 mA 放电电流
低侧驱动的150 mA 充电和700 mA 放电电流
我们根据清除设置为0.7V 的 VDS 故障来得到这些值(该值相对较高、因为 MOSFET 的 Rdson 为3m Ω、但低于0.7、始终存在 VDS 故障)
使用的 MOSFET 是 CRST045N10N、其中 Qgd 为19nC、总 Qg 为90nC、我们每个桥臂上并联使用其中3个。

您好、Ghosh、

感谢您的跟进！ 我将在本周多看几遍、然后回到您的身边。

此致、

Anthony Lodi

您好、Ghosh、  

我懂了。 您提到电机在空载时最高消耗3A -您能帮助我更好地了解并联3个120A FET 的原因吗？ 您期望负载提供多大的电流？  

您使用的栅极电流看起来并不是很高、因为您正在驱动3个并联 MOSFET、总 Qgd = 57nC、但是这最终将通过 PCB 布线电感和可以由此产生的瞬态值来确定。 尤其是对于3个并联 MOSFET、PCB 布线可能会变得很困难、从而导致电感更高。 您使用的栅极电阻器值是多少？ 您能提供原理图吗？

您为 TDRIVE 配置设置了什么？ 这是寄存器0x04的位9-8。

对于 IC 5、您能否为所有引脚进行引脚至 GND 电阻测量并与一个良好的器件进行比较、以确定是否有任何引脚出现损坏？  

此致、

Anthony Lodi

大家好、我们的满载电流为150A、需要2个 MOSFET 以及散热器来驱动电机。 我们使用了3个 MOSFET 来确保它们不会发热、这是我们的第一个原型。
栅极驱动 LS 寄存器(地址= 0x04h )  设置为0X2135 (用于 Tdrive 配置)
我已向您发送 DM 中的原理图、布局和示波器图像。请进行检查。
由于我们的所有 IC 均已损坏、我们已订购新的 IC 进行更换。 请允许我留出一些时间来进行阻抗测量比较。
如果需要我这边的任何其他东西来进行调试、请告诉我。

尊敬的 Akshay：
我们一周前收到了新一批 IC、现在面临一些新问题。
当我们开启使能信号时、相位 B 低侧的栅极引脚始终变为高电平(7.8V)；不提供输入信号。 到目前为止、我们在4个 IC 上都遇到了这一问题。
我们尝试连接栅源下拉电阻器、但这没有解决问题
我们还移除了 MOSFET、栅极信号始终处于高电平。
您能帮助我们调试为什么驱动程序以这种方式运行吗？

嘿、Akash、

您能否给我展示 INLB、GHB-SHB (差分测量)的波形？ 您是否使用一个良好的单元进行阻抗测量、以检查是否存在任何短路？

IC 5上的任何更新都失败了吗？

最好的
Akshay