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[参考译文] MCT8329A：MOSFET 与 MCT8329A 发生损耗

admin
Guru**** 2362860 points
Other Parts Discussed in Thread: MCT8329A, MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1506389/mct8329a-mosfet-losses-with-mct8329a

器件型号：MCT8329A
主题中讨论的其他器件： MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC

工具/软件：

您好：

本演示文稿内容： https://www.youtube.com/watch?v=nw4GaDFBDko

有人说电机控制应用中的低侧 MOSFET 是软开关的(我认为、一般来说、不仅使用 FOC)

那么、使用 MCT8329A 时的情况是如此吗？  

您能否证实低侧 MOSFET 的功率耗散通常较低(例如、一些粗略估计的操作数降低30%)？

此致、

Adam

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    TI__Guru**** 2362860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、TI 的 MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 工具计算换向损耗(二极管损耗下)。

    在我的应用中(25V、20kHz、12Arms)、它在单个 MOSFET 中提供了1/3的总功率损耗。

    在 TI 有关 MOSFET 损耗的文章中找不到任何关于换向损耗的内容(这不是反向恢复、因为反向恢复需要单独计算)

    您能解释一下这种二极管损耗是什么、也许可以参考 TI 的论文中的相关内容吗？

    Adam

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    尊敬的 Adam：

    我们错过了此主题、很抱歉耽误了回复。

    我们需要解释一点,我请求等待一天,我们将作出回应。

    快速提示：外部 MOSFET 是相同的、RDSON 是相同的。 有一种配置 CLOSED_LOOP1[PWM_MODUL]、我们可以在其中配置高侧、低侧或混合调制。

    谢谢、此致

    Venkatadri S.

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    谢谢、但低栅极 MOSFET 的电机应用软开关不在其中吗？

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    尊敬的 Adam：

    有关不同的 PWM_MODUL 值、可以参阅数据表中的说明。

    对于高侧或低侧配置、仅 MOSFET 将切换、120且占空比为100%时互补将开启。

    谢谢、此致

    Venkatadri S.