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器件型号：DRV8889-Q1 工具/软件：
您好：先生
在通电和断电的连续性测试过程中、出现了 IC 燃烧现象；测试发现、芯片可能因定向电动势过大而烧毁、测得的最大电压为68V。 提供了随附的原理图、PCB、还有测试波形等；请帮助建议如何对其进行修改、以抑制反电动势并防止芯片烧毁。 谢谢您！
工具/软件：
您好：先生
在通电和断电的连续性测试过程中、出现了 IC 燃烧现象；测试发现、芯片可能因定向电动势过大而烧毁、测得的最大电压为68V。 提供了随附的原理图、PCB、还有测试波形等；请帮助建议如何对其进行修改、以抑制反电动势并防止芯片烧毁。 谢谢您！
尊敬的 Anson：
感谢您联系我们。
在驱动电机时、无法消除电机旋转时的反电动势、BEMF 电压。 适当的电路设计将有助于减少 BEMF 导致的 VM 引脚电压泵。
我在原理图中看到以下问题。
1)用于电池反向保护的串联二极管。 该二极管可防止 BEMF 被电源耗散。
2)系统中大容量电容值 C220不足-仅限4.7 μF 。 由于串联二极管和大容量电容、该节点处的电压会变得非常高、例如测量的68V、并损坏元件和驱动器 IC。 请请求客户将大容量电容增加到> 100 μF (例如 220 μF) 、并 检查是否缓解了高电压泵回问题。 如果串联二极管 D9仍然没有、则必须移除并替换为0 Ω 电阻器。 如果客户想要电池反向保护、他们应该提供与 DRV8889-Q1EVM 中类似的基于功率 FET 的保护。 无论最靠近 VM 引脚的大容量电容器如何、都必须足以减少电压泵、尤其是在电源线束承载一些电感时。 请参阅该应用手册 https://www.ti.com/lit/an/slvaft0/slvaft0.pdf。 它也适用于步进电机驱动器。
此致、Murugavel
