主题：DRV8353 中讨论的其他器件
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我正在测试一个新设计。 它是 DRV8353 评估设计的近期副本。 初始测试导致 HA 或 HB 出现栅极驱动器故障（无损坏）、具体取决于 PWM 的启动方式。 我读取到该误差的结果是、MOSFET 在如此低的栅极电流（以 50mA/100mA 启动）下导通速度不够快。 开始增大栅极电流、 每次都有同样的错误,直到我达到 600mA/1200ma 左右。 然后、我会设置一个故障位（FSR1 中没有其他设置）、并在 FSR2 上设置一个 GDUV 故障。 此时芯片开始过热并一直拉 100+ mA（即使在硬件复位后没有启用驱动器）。 此时芯片显然已损坏。 这已经发生了多次,我无法确定原因。
我正在驱动相当大的 MOSFET。 HYG016N10NS1TA
GD 为 47nC
使用数据表中规格的电容器。 在 VM 15V 至 60V 时会发生这种情况（尚未在 15V 以下进行测试、但设计应能在低至 6.5V 的电压下工作）。 原始设计使用了 MIC4102 栅极驱动器（在运输设计中）、但这些驱动器并不具备 DRV 具备的所有保护功能。
我们还没有驱动电机。 无负载受到任何类型的攻击。 此时只需尝试驱动 MOSFET 即可。
在驱动器已经损坏之前、不会发生过大的电流（获取 FAULT/GDUV 标志）。
SHC 和 SLC 接地（我们不使用该端口，因为这适用于有刷电机）。 仅接地 SHC 未消除端口 C 故障。 接地 SLC 防止了该错误。
原理图附在后、所有滤波电容器（非大容量电容器）都在 DRV 相应引脚的 1mm 至 2mm 范围内。
布线宽度与 EVM 相同（但距离较短）、因此我看不到布线上的电感是导致这种情况发生的原因。
如有任何帮助、我们将不胜感激。
