工具/软件:
大家好、支持团队。
电流容量的更多信息
VGLS 的数据表说明其可以提供 25mA 电流。
这个 25mA 仅在向外部供电时才可用、对吧?
它在内部用于驱动低侧栅极、但我知道它可以输出几百 mA。
如前所述、VGLS 为低侧栅极驱动电路提供电流、但当同时驱动三个低侧 MOSFET 时、如果 IDRIVE 设置为其最大值、它需要能够输出大约 3A 的最大电流。 我是否可以假设这可以从 VGLS 输出?
此致、
HIG
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VGLS 的数据表说明其可以提供 25mA 电流。
这个 25mA 仅在向外部供电时才可用、对吧?
它在内部用于驱动低侧栅极、但我知道它可以输出几百 mA。
如前所述、VGLS 为低侧栅极驱动电路提供电流、但当同时驱动三个低侧 MOSFET 时、如果 IDRIVE 设置为其最大值、它需要能够输出大约 3A 的最大电流。 我是否可以假设这可以从 VGLS 输出?
此致、
HIG
Hi Higa-San、
VGLS 的电流能力 25mA 是 VGLS 的平均电流能力。 当使用最大 IDRIVE 导通低侧 MOSFET 时、该电流只能在短时间内施加、直到 MOSFET 的 Qg 被提供来使其导通。 VGLS 上的电容器可以在导通 FET 的短时间内提供该峰值电流。 因此平均电流要低得多。 低侧 FET 开关的 IVGLS =数量* PWM 开关频率*MOSFET Qg。 注意:MOSFET Qg 是总有效 MOSFET Qg、在并联 FET 的情况下将是 MOSFET Qg 的两倍。 需要考虑额外的平均电流、例如低侧的外部 RGS 电阻。
此致、
Anthony Lodi