工具/软件：
您好：
我尝试将 DRV8262 用于具有单路 H 桥的有刷直流电机应用。
我的电机将在 VM 电压为 35V 且电机电流约为 3A 时以直流（而不是 PWM）运行。 根据 DRV8262 的使能信号、电机将停止/正向/反向、但全部为直流。
我在 DRV8262EVM 中没有看到任何缓解反电动势的电子器件。 除了使用什么 EVM 之外、您是否对需要包含哪些电子器件来抑制 BEMF 有任何建议？ 我看不到 DRV8262 本身调节反电动势。 我没有很多 BEMF 电压、我真的需要在实验室中进行测试。 不确定使用 DRV8262 以上述规格驱动电机是否安全。 如果有人能确认、那将是很好的。 基本上、我不确定是否需要包含不会损坏 DRV8262EVM 的额外电路（即反电动势并联稳压器或再生电阻器）。 当涉及到定制设计时、我还需要知道。
如果您需要我方面的其他信息、请告诉我。 谢谢！
嗨、Jake、
再次感谢您通过此论坛与我们联系。
我们所有具有集成 FET 的有刷直流 BDC 电机驱动器都用于驱动与其直接连接的 BDC 电机。 内部功率 FET 上的寄生体二极管将减轻驱动转换死区时间内 OUTx 上可见的 BEMF。 通常不需要其他外部 BEMF 缓解电子器件。
请参阅下面的示波器使用 DRV8262EVM 并使用两个 H 桥之一来驱动 48V BDC 电机时捕获的结果。 蓝色迹线是实际电机电流、黄色迹线是 IPROPI1 电压、绿色迹线是 OUT1 电压、橙色迹线是 OUT2 电压。 VM 电源是 48V 高电流电池包电源。 BDC 电机的两根导线直接连接到 EVM 端子 OUT1 和 OUT2 点。
有两种使用 DRV8262 驱动电机的方法、直接进行直流控制、IN1 或 IN2 没有 PWM 输入。
通过电流调节、RIPROPI 3.3kΩ（内置在 EVM 中）和 VREF = 3.3V、将浪涌电流限制在 5A 左右：
电流调节已禁用、浪涌电流不受限制：
此致、Murugavel
嗨、Jake、
我对 BEMF 的理解是、在电机停止或改变方向时将生成 BEMF。 您是否说在死区时间内、寄生体二极管会阻止 BEMF 流回源极？ 我认为这些是 NMOS、因此即使晶体管处于关断状态或高阻态、二极管的阴极也应该位于晶体管的漏极侧、所以不应该导通？ 我认为我可能会误解一些事情、但如果我错了、请纠正我。
BEMF 将由 BDC 电机生成、只要其在旋转时（在这种情况下，BEMF 会阻止施加的电压）、或者在电机通过外部机械旋转时也会生成。 当电机停止（静止）或在方向变化的过渡点（其物理运动为 0）时、其 BEMF 将为 0。
有刷直流电机中的反电动势公式为 EB = kΩ、 其中 EB 是反电动势、K 是电机的反电动势常数、Ω 是电机的角速度。 当电机处于静止状态时 Ω= 0、因此 EB = 0。 BEMF 也可以表示为 EB = VM - Iara、其中 VM 是施加的电压、Ia 是电枢电流、Ra 是电枢电阻。
在死区时间内、当线圈电压关闭时、将发生电感反冲（非 BEMF）、该电感反冲可能大于 VM。 在此期间、体二极管将导通并减少电感反冲。 因此 OUTx 引脚指定了突出显示的绝对最大值 规格 — 请见下文。 由于开关、这更多是电感反冲、而不是 BEMF。 我记得这句话、“内部功率 FET 上的寄生体二极管将在驱动转换死区时间内减轻 OUTx 上可见的 BEMF。“ 为了精度起见、在这种情况下不是 BEMF。
也就是说、当电机全速运行时拔下 VM 电源输入时、电机产生的 BEMF 将通过体二极管传导到 VM 和 GND、正极侧通过其中一个 HS-FET 传导到 VM 和 GND、具体取决于电机方向、负极侧通过其中一个 LS-FET 接地。 在电机停止之前、这个生成的 BEMF 将在 VM 电源轨上可用。
请参阅下面的捕获结果（当电机以 48V 电源全速运行时、断开 VM 时、UVLO 之后通过 nFAULT 下降沿触发）。 黄色迹线表示的是显示电机电流的 IPROPI1 电压、橙色迹线表示的是 VM — 表示出现了骤降？ 光标 2、这是拔出 VM 时、绿色迹线是 nFAULT、它在 VM < UVLO ~ 4.3V 时变为低电平。请注意、BEMF 电压在 VM 电源轨上出现至少 300ms？ 由于旋转能量的摩擦损失、它的振幅随着电机减速而下降。 当电机停止时、它会变为 0。
如果在拔下电源后立即停止电机、BEMF 会更快地下降、因为电机速度会更快地减慢到 0。 如果要在关闭驱动器后制动全速电机、则必须确保所有能量转储都可由制动电路路径中的 FET 处理。 一种缓解措施是在 PWM 占空比从 100%降至 0 时缓慢降低速度。
对于正在运行的电机的瞬时反转也是如此。 对于方向改变、电桥应反转。 所需的驱动能量必须在电流方向上停止电机、然后使其反转。 在此期间、来自电流方向的 BEMF 能量将被 FET 吸收。 请参阅下面的方向反转捕获。 蓝色迹线是实际电机电流、黄色迹线是 IPROPI1 电压、绿色迹线是 OUT1 电压、橙色迹线是 OUT2 电压。 VM 电源是 48V 高电流电池包电源。 BDC 电机的两根导线直接连接到 EVM 端子 OUT1 和 OUT2 点。 VREF = 3.3V
方向正向更改为反向：
方向反向更改为正向：
由于抵消电机在一个方向上运行的 BEMF、片上电流调节功能可缓解大电流峰值的极端情况 。 禁用电流调节后、无法执行这种动态方向反转、因为产生的电流峰值将触发 OCP。 只能进行 STOP WAIT（停止等待）和 REVERSE（反向）。 我证实这是真的。 电流峰值达到约 9A、即> IOCP 8A 的最小规格。
此致、Murugavel
嗨、Jake、
最后一个问题是、如何确保电感反冲能量低于数据表中显示的最大额定电压？ (VM+3V 和 VM+1V) 【报价】简短的回答是、在大多数 BDC 电机驱动用例中、您都不必做任何事情。 体二极管会自动将高于 VM 的电压限制为其 VF、将低于 GND 的电压限制为其 VF、 通常为≤1V。
电感器 VL = L *(di/dt)、“di/dt “中感应的电压是通过线圈的电流相对于时间的变化率、L 是其电感。 感应电压取决于电流的变化速度以及线圈的电感。 较大的电感或更快的电流变化将导致较高的感应电压。 当流经电机电感的电流打开或关闭时、di/dt 将非常高、尤其是“t"（“(t) 是开关的快速下降时间或上升时间。 与施加的 VM 电压相比、产生的开路电压通常非常高、但是在电阻为 5 10Ω 的典型有刷电机中 、它没有太多的能量、其电感小于 5mH。加载后、电压会显著下降。 正峰值由 HS-FET 体二极管传导到 VM 轨、负峰值由 LS-FET 体二极管传导。 OUT1 上的电压为 VM + VF、OUT2 上的电压为 OUT2、为 GND - VF、VF 是体二极管的正向压降 、对于流经它的额定电流范围（与 FET 额定电流相同）内的电流、该压降将≤1V。
如果出于某种原因、例如电机的电感非常高、即反冲能量（通过体二极管的电流）可能会变得更高、从而导致 VF > 1V。我从未看到使用此驱动器进行驱动的典型 BDC 电机发生这种情况。 在这种情况下、具有更高额定电流的外部肖特基二极管可以与 OUT1 和 OUT2 上的所有体二极管并联、以限制快速电压偏移。
如果这些 MOSFET 是 BJT 或 IGBT、并且没有固有的体二极管、则感应电压将为数百毫秒（如果不是 1000 毫秒）、从而瞬间杀死硅。 因此、此类设计将具有强制使用的外部续流二极管来应对这种情况。
此致、Murugavel
