工具/软件:
您好:
客户已发现 DRV8350H 和 LM5012DDAR 烧毁事故、测量结果显示:
1. MOSFET 未发现故障;
2. DRV8350H 的 CPH 和 CPL 短路;即使拆下电容器后也发生短路
3、DRV8350H U 相下电桥 GS 的输出短路, V 相上电桥 GS 两端的电阻约为 100R;
4. LM5012DDAR 的 SW 对 GND 短路。
相关的原理图和 PCB 如下所示。
e2e.ti.com/.../D6_5F00_V3_5F00_20240118_5F00_3.DSNe2e.ti.com/.../ZDL6_5F00_POWER-V4-20240305_5F00_1758.brd
如下图所示测量 MOSFET 的栅极开关波形。
客户之前遇到过 MOS 烧毁、并怀疑这是由 8350 故障引起的。 MOSFET 的故障分析表明、无法排除栅极击穿的可能性。
请您!!!分析可能的原因,谢谢
此案例为紧急、请尽快提供及时反馈