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再次大家好、
在 DRV8262 数据表中、当下例计算功率损耗时、它提到它们在考虑 JEDEC 标准 4 层 PCB 的情况下使用 22.2 C/W 作为 RJA。
所示的示例似乎存在 PWM 信号。 在这种情况下、为什么他们使用 RJA 的 DC 参数？ 我不应该查看占空比下的热阻抗图吗？ 在示例中、占空比为 0.5、频率为 20kHz、因此通过 0.025ms (0.05ms/2) 时的热阻抗图可知、RJA 要低得多。 我想澄清为什么使用 22.2C/W。 在直流运行时、22.2C/W 似乎是 RJA。
嗨、Jake、
您是对的。 所示的示例适用于 20kHz PWM 输入且占空比 D = 0.5 (50%)。 在计算每个 FET 中的损耗时、考虑并补偿了该 50%占空比。 与直流操作相比、功率仅为一半。 由于这一计算、将直流的 FET 功率损耗归一化、因此 RJA 使用了 22.2 C/W。 开关损耗仅发生在 FET 的上升沿和下降沿期间、不随占空比变化。
因此通过查看 0.025ms (0.05ms/2) 时的热阻抗图、可以得到更低的 RJA。 [/报价]您指的是哪种热阻抗图？
此致、Murugavel
您好：
我在数据表中参考这张图。 在 0.025ms、我看到 Zja 在 0.9 或 1 左右。 除非这与正常晶体管 SOA 的热阻抗图不同？ 我仍然不明白为什么使用 22.2C/W。 在我的示例中、它将用作单路 H 桥、但在特定时间段内具有更高的直流操作（无 PWM）、例如最大 20 秒 那么我应该参考热阻抗图来确定热阻、而不是使用 22.2C/W、这是否正确？ 我看到、使用 4 层 32cm2 时、20s 时的热阻抗约为 8 或 9C/W （制动器将使用外部制动器处理，因此不循环）
谢谢！
嗨、Jake、
感谢您的澄清。 数据表中的热性能信息规格基于 JESD51-7、使用高 k 2s2p 电路板、TI 遵循 JEDEC 标准来规定这些规格。 用于连续运行。
您所参考的图是 基于时间的瞬态性能的 DDW 封装结至环境热阻抗 ZθJA、这不是 RθJA、它是持续运行的热阻。 如果这些瞬变连续发生、则温度可能会比之前的冷却点持续升高、具体取决于 TA。
请参阅此相关信息。
在本例中、它将用作单 H 桥、但在特定时间段内可实现更多的直流操作（无 PWM）、假设最多 20 秒 那么我应该参考热阻抗图来确定热阻、而不是使用 22.2C/W、这是否正确？ 我看到、使用 4 层 32cm2 时、20s 时的热阻抗约为 8 或 9C/W （制动器将使用外部制动器处理，因此不循环） [/报价]是的、您可以使用此热阻抗并针对一次性事件使用 20s 标记处的热阻抗。 基于此、您可以估算 20s 时间结束时相对于 TA 的结温升高。 如果您在不允许完全冷却的情况下启动另一个 20s 事件、则估算的结温将从器件的当前温度累积、而不是 TA。 谢谢你。
此致、Murugavel
