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器件型号：DRV8962-Q1 工具/软件：
尊敬的 TI 专家
请更详细地说明低侧 MOS 过流的运行方式。
BR
Shaya.
工具/软件：
尊敬的 TI 专家
请更详细地说明低侧 MOS 过流的运行方式。
BR
Shaya.
尊敬的 Shaya：
感谢您发布此问题。
过流保护的内部细节是 TI 专有的受保护信息。 流经每个 MOSFET、低侧和高侧的电流会受到持续监测、如果这些电流（包括低侧，例如输出 OUTx 短接至 VM 电源）超过 IOCP 的时间超过 tOCP、则会检测到过流、并在内部禁用该 HBx 的低侧和高侧 FET 的栅极驱动。 如果您有具体的疑虑或问题、请告知我们。 我们将尽力澄清。
此致、Murugavel
