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器件型号：DRV8100-Q1工具/软件：
我目前在定制的单通道 BLDC 电机驱动器上使用 DRV800-Q1。
在对辐射发射进行测试时、我观察到了 48MHz 处的一些峰值。
驱动电机时、只会观察到这种噪音、因此我怀疑驱动器 电路会发出噪音。
我在下面有发射观察结果、
我可以获得一些有关如何处理这种排放问题的帮助吗？
工具/软件：
我目前在定制的单通道 BLDC 电机驱动器上使用 DRV800-Q1。
在对辐射发射进行测试时、我观察到了 48MHz 处的一些峰值。
驱动电机时、只会观察到这种噪音、因此我怀疑驱动器 电路会发出噪音。
我在下面有发射观察结果、
我可以获得一些有关如何处理这种排放问题的帮助吗？
1.请在下面找到波形,
GHA
SHA.
GLA
我有以下问题：
1、为什么高侧只有 8ns、低侧的上升时间为 228ns。
2.我根据 7 步程序 (https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTBC7) 中的说明尝试使用缓冲器。 但观察到、通过添加缓冲器振幅、振铃噪声正在增加。
不带缓冲器 (6.4V)、
C1 = 94pF (10.4V)
1、电源电压高达 58.8V,电机兼容。
2.使用的 GVDD 为 18.5V
3. GHx 相对于 SHx、
4.我按照提供的链接,但在添加 C1 电容器时,振铃频率降低,导致频率比小于 1。 因此计算出的最终电容器为负。
5.我尝试将栅极电阻器从 22R 增加到 60R、下面是 GHx、
我不知道 GHx 中为什么相对于 SHx 会有噪声、
一次只存在 GHx 中的一个。 它们不会重叠。 请查看下面提供的 SHA 和 SHB、
INH1 和 INH2 如下
INH2 和 INH3 如下
注意：
都不会同时打开任何高侧开关。 此外、低侧控制 在霍尔状态 高电平的相应持续时间 (100%) 内被赋予为连续高电平、而不是在具有占空比的 PWM 内被赋予。
嗨、Praveen、
在 PCB 的哪个位置测量 GHx 和 SHx、 它们是在驱动器引脚还是 MOSFET 上获取的？
在该测量中、中间的振铃可能来自同相位 SHx 的快速压摆（噪声存在于米勒区域附近，此时会发生 VDS 压摆）。 因此、建议使用较大的栅极电阻来降低压摆率。
此外、对于 RC 缓冲器、您可能需要反复使用这些值、以找到理想的解决方案。
SHx 导通时的电压过冲和振铃可能会导致 48 –60MHz 噪声。
还请注意、如果这符合您的 MOSFET 规格、在 18V 时使用 GVDD 将会导致 18V 作为栅极驱动电压？ 我们看到的大多数应用都是使用 GVDD 为 12V、这足以充分增强栅极、但不足以损坏 MOSFET。 您是否可以提供 MOSFET 数据表/原理图？
此致、
Akshay
嘿、Akshay、
很抱歉、延迟的回复。
1.记录的波形在 MOSFET 引脚上。
2.电阻从 60R 增加到 75R、噪声没有变化、有效总上升时间从 550ns 增加到 40ns、但噪声仍然不变。 以下是使用 75R 栅极电阻器时 GHx 与 SHx 的关系、
3.如下图所示,60R 的振铃大幅减少,
MOSFET 栅极电压高达 20V、因此使用了 18V GVDD。
5、使用的 MOSFET 是 NVMFS6H824NT1G
1.请查看以下 SHA 引脚相对于驱动器 GND 的上升时间。
2.此外,如果我们进一步增加栅极电阻,就不可能发生击穿。 目前、在 50us PWM 时间段内、GHx 相对于 SHx 约为 550ns。
尽管栅极上升时间为 550ns、但我知道 SHx 的上升时间为 9.2ns。 但为了实现这一点、我可能需要使用 500R 甚至 1k 的电阻、这听起来好像并不正确。
3.此外、我不理解为什么我们需要在驱动器端查看 GHx 或 GLx 的值、因为无法在该位置看到栅极电阻的影响。
