工具/软件:
您好! 尊敬的。 TI 团队、
我们目前正在使用 DRV8350RH 栅极驱动器 IC、并且遇到两个问题。
我们配置了用于驱动三相电机的 MOSFET、如下所示、并应用缓冲电路。
首先、我们使用差分探头测量高侧 MOSFET 的 VGS、并附加了测量的波形。
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高侧 MOSFET 的 VGS (GHx) 波形看起来为方波、但正边沿部分会显示轻微的压摆率。 然而、低侧 MOSFET 的 VGS (GLx) 是没有压摆率的理想方波。
我们想知道仅高侧 MOSFET 的 VGS (GHx) 波形在正边沿部分具有轻微压摆率是否正常、以及为什么会出现此压摆区域。 -
通过放大高侧 MOSFET 的 VGS (GHx) 波形(具有压摆率)的正边沿部分、我们会观察到类似火花的小噪声。
我们想知道消除这种现象的可能方法、发生这种现象的原因、以及如果这种现象持续存在、它可能造成哪些副作用。 (IDRIVE PIN:短接至 GND(最小设置值)) - R3、R4 = 1 Ω/R1、R2 = 3 Ω/C1、C2 = 470pF
感谢您一如既往的支持。
此致、


