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[参考译文] DRV8350：DRV8350 在 GHA/SHA（U 相）造成的损害

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8350

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1551339/drv8350-drv8350-damage-in-gha-sha-u-phase

器件型号：DRV8350


工具/软件：

亲爱的

 客户在电动叉车应用场景中使用 DRV8350、并以 24V 系统和三相异步电机作为负载。 电机功率范围为 1.5KW 至 3.0KW。 使用 DRV8350SRTVR 来驱动 MOSFET（每个半桥臂与 3 个 Infineon IPT007N06N 并联使用）。 单个 Infineon IPT007N06N 的 Qgd 为 39nC、三个并联的 Qgd 为 117nC。 根据 DRV8350 手册 9.2.1.2.2、Idrive 的范围计算为 390 –1170mA、Idrive 的范围计算为 780 –2340mA。 软件上的 Idrive 设置为 600mA、Idrive 为 1300mA、符合要求。


 在车辆加固测试期间,3.0KW 型号测试了 30 多个小时,没有任何异常;但 1.5KW 型号连续进行了三次加固测试,均显示 DRV8350 受损。 故障发生在车辆测试的几个小时到 10 个多小时内、所有这些都发生在车辆向前推进的过程中。


  检查软件、读取寄存器并显示 GDF。 U 相桥臂的驱动电流过高；检查硬件、三次 DRV8350 的引脚 GHA 和 SHA 之间存在短路或低阻抗、而所有其他元件都正常。 检查三个半桥驱动信号线的布局并无异常。 我是否可以询问在什么情况下可能会发生 GDF？ 解决问题的方向是什么？

  谢谢。

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Jon、

    1) 谁是客户?

    2) 这是第一个设计/原型吗?

    3) 只是为了确认损坏总是发生在 A 相? 这是否是布局上离驱动器最远的相位？

    4) 你能发送原理图吗?

    5) 在哪个点触发 nFault？ 任何具有 nfault 和 gha、SHA 信号、VGS 的波形、VDS 的上升和下降压摆时间是多久？

    6) 在高电流操作期间,您可以获取 GHA、SHA、VGS、Vdrain 的波形吗? 以及显示 INHA、GHA、VGS、NFAULT 和在 GDF 故障期间触发 NFAULT 的波形？

    7) 什么是 Tdrive 设置?

    此外,如果你附加的图像,在原始帖子中,我无法打开它们。 因此、请尝试再次连接或发送带有标记图像的 zip 文件夹（显示信号名称，电压电平和时间标度）

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Akshay、

      请看我的评论,谢谢。

    1) 谁是客户?

    ----- Linde  Fenwick

    2) 这是第一个设计/原型吗?

    ----- 第一个设计

    3) 只是为了确认损坏总是发生在 A 相? 这是否是布局上离驱动器最远的相位？

    ——是的,请在封装中看到 PCB。

    4) 你能发送原理图吗?

    ----- 请看教堂的装饰。

    5) 在哪个点触发 nFault？ 任何具有 nfault 和 gha、SHA 信号、VGS 的波形、VDS 的上升和下降压摆时间是多久？

    ----- 随机显示、运行条件是电机满载 (1.5KW) 向前驱动、GHA、SHA 信号、当前没有可用的波形（需要捕获波形）。 波形已在工作台上进行了测试、如 Excel 表 3 所示

    6) 在高电流操作期间,您可以获取 GHA、SHA、VGS、Vdrain 的波形吗? 以及显示 INHA、GHA、VGS、NFAULT 和在 GDF 故障期间触发 NFAULT 的波形？

    ----- 由于故障发生在车辆运行期间、因此很难捕获驾驶环境中的波形。 随附了测试台上的波形供您参考。 你有什么建议吗？

    7) 什么是 Tdrive 设置?

    -–4000ns

    e2e.ti.com/.../KWPC07_5F00_DRV8350_5F00_SCH-PCB-wave-form.xlsx

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Jon、

    谢谢、我将讲解并提供反馈。

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Akshay、

       客户非常紧急、您可以帮助吗？谢谢。

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    Akshay、

      更新一些信息：

    DRV8350 寄存器设置：

    DRIVER_CONTROL 0x401

    DRIVER_GATE_hs 0x39a

    DRIVER_GATE_ls 0x39a

    DRIVER_OCP：0x16a

    仅 栅极驱动 HS 为过流、LS 正常。

    如果客户降低了 IDRIVEP_HS 和 IDRIVEN_HS 的设置、则可降低发生故障的可能性。现在 、IDRIVEP_HS 和  IDRIVEN_HS 为 600mA 和 1300mA。但如果降低 IDRIVEP_HS 和 IDRIVEN_HS、将增加开关损耗。  现在开关损耗已经超出了客户的目标、客户希望减少开关损耗、所以不能增加 Idriver、甚至希望增加。

    4.MOSFET 位于另一个电源板中、并与主板中的连接器相连。

      

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    添加要点：只有 DRV8350 损坏、MOSFET 良好。

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    嗨、Jon、

    很抱歉,我不在办公室。

    您能告诉我以下信号是什么吗？

    Ch2：TC377 输出驱动器
    CH3：DRV8350 输出驱动器       
    Ch4：MOSFET 栅极引脚信号

    对于我请求的波形、请将它们放在相对于驱动器接地端而言尽可能靠近驱动器引脚的位置。 就像信号取自 MOSFET 附近、 MOS 的电容可能会影响信号并使其平滑。 我们关注驱动器的绝对最大值违规。

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    Akshay、

      更新信号 说明。

    e2e.ti.com/.../1184.KWPC07_5F00_DRV8350_5F00_SCH-PCB-wave-form.xlsx

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    嗨、Jon、

    此文档似乎与之前的文档相同、更新内容是什么？

    我的问题/澄清需求是

    1) 原理图上的 TC377 输出驱动器是什么

    2) DRV8350 输出驱动器（是 GHx-shx 还是 SHX-GND？）

    3) 什么是 MOSFET 栅极引脚信号（在 MOSFET 处为 GHz-shx？ GLx-GND 为 MOSFET？）  

    因此、我请求在驱动器引脚处测量我之前在文章中提到的特定信号组合、看看我们是否看到任何绝对最大值违例。 此外、我认为 SHX-GND 没有显示为现有波形中没有看到 24V 的信号

    如果我遗漏了任何内容、请告诉我。

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    Akshay、

     请参阅图片中的指示。谢谢。

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    嗨、Jon、

    感谢 ch1 和 ch2 的说明。  

    通道 3 在哪里？

    此外、栅极信号中还存在大量噪声、这些噪声可能与另一相的 SHx 压摆同时发生。 因此、建议使用较低的 IDRIVE /栅极电阻来减慢 VDS 压摆率。

    如果您可以提供我请求的波捕获 （约 100ns/div ）,那么我们可以看到 SHx 和 GHx 的行为。

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Akshay、

       请查看频道 3 的图片。

       因为较低的 Idrive/gate 电阻会 增加开关损耗、现在开关损耗高于目标值、所以无法减小 Idrive/gate。

       TI 本地 FAE 说明建议从 MOSFET 栅极上移除 1nF 电容器和磁珠。 客户发现、移除这个 1nF 电容器后、它运行了 30 小时、没有任何其他问题。 客户询问移除这个电容器是否会有其他不利影响？ 该计划是否可行？ 谢谢

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    嗨、Jon、

    铁氧体磁珠放置在哪里？

    让我也与团队核实一下。

    此致、
    Akshay

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    TI__Guru**** 2510095 points
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    嗨、Jon、

    我需要我请求的波形来更好地了解情况。 在移除铁氧体磁珠和 VGS 电容器后、还测试了多少个器件？

    移除电容器和磁珠之前和之后是否具有栅极和源极波形？

    铁氧体磁珠放置在哪里？ 另外、如果我们更改两个项目、很难判断哪些具体的变化导致了改进。

    请帮助澄清、谢谢！

    此致、

    Akshay