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[参考译文] DRV8161:PWM 占空比 100%

Guru**** 2652575 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV8363, DRV8353, DRV8350, DRV8161, DRV8328

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1581151/drv8161-pwm-duty-100

器件型号:DRV8161
主题中讨论的其他器件:DRV8350、、 DRV8328、DRV8363 、DRV8353

团队、数据表指出、它具有集成式涓流电荷泵、支持 100% PWM 占空比。 我有几个问题:

  • 这种涓流电荷泵是否同时适用于高侧和低侧栅极驱动器?
  • 这个特定的电荷泵如何实现 100% PWM 占空比?
  • 在 DRV8350 中、它提到了不同的电荷泵作为倍增器。 这些配置之间的主要差异是什么?
  • DRV8161 半桥是否适用于伺服驱动应用中的五相步进电机?

谢谢!
Brian

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    嗨、Brian、

    只有在 HS MOSFET 绕电流占空比为 100%时、才需要涓流电荷泵。您无法补充 BST 电容器上的电荷(通过导通 LS)

    TCP 通过提供一些电荷来实现 100%占空比、以使 BST 电容器在 100%占空比期间保持充电状态。

    自举+ TCP 和纯电荷泵架构均会为高侧 MOSFET 栅极产生栅极驱动电压。 在每个开关周期、我们使用定义如下的平均栅极电流:

    Iavg = QG *#开关 FET * FPWM

     

    在电荷泵器件(如 DRV835x)中、我们在内部从 VM/PVDD 输入生成到驱动器的 VCP 电压、我们根据输入电压指定平均栅极电荷能力(来自 VCP 的 HS 为 25mA、来自 VGLS 的 LS 为<xmt-block1> 25mA</xmt-block>)。 25mA。

     

    在我们的自举器件中、HS 栅极驱动电压来自自举电容器、自举电容器从 GVDD 充电。 在某些器件 (DRV8328/8,329,8363) 中、GVDD 电压是在内部生成的、我们指定平均栅极电流能力。 但在其他自举器件(如 DRV8161/8300)中、GVDD 是用户提供的外部引脚。 由于 GVDD 是由外部供电、因此我们不指定平均栅极电流能力。

     

    这就是我们在 DRV8363 上具有 50mA(适用于 HS 和 LS 组合)规范的原因、因为它是在内部生成的。

     

    自举的优点是、高侧电源现在以开关节点为基准、因此与电荷泵等浮动 HS 电源相比、它对开关瞬态的抵抗能力更强。 借助自举、您现在可以分别为三个相位中的每一个相位提供稳定的基准(考虑相位之间轻微的漏极/SHx 电压差)、而不是为电荷泵提供一个常见的 VDrain 基准。


    DRV8161 半桥是否适用于伺服驱动应用中的五相步进电机?

    因为这是栅极驱动器、我没有看到任何问题、因此如果额定电压和栅极电流符合客户的要求、那么这个问题应该没问题。 它们需要集成式 MOSFET 驱动器还是需要外部栅极驱动器? (什么是电机电流/电压)

    此致、

    Akshay

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    谢谢 Akshay。

    还有一个问题、在 DRV8350 的 d/s 中、它指出“集成栅极驱动器电源–用于 100% PWM 占空比控制的高侧倍增电荷泵“。 因此、倍增电荷泵也可为 HS MOSFET 实现 100%占空比、对吗?

    此致

    Brian

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    嗨、Brian、

    DRV8353 支持 100%占空比、因为不需要通过开启 LS 来充电自举。

    如果回答了您的问题、请将该主题标记为已解决。

    此致、

    Akshay