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[参考译文] DRV8899-Q1：温度范围内的高侧 RDS (on) 和低侧 RDS (on)

admin
Guru**** 2668435 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV8899-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1578445/drv8899-q1-high-side-rds-on-and-low-side-rds-on-over-temperature-range

器件型号：DRV8899-Q1


尊敬的 TI 团队：

请在这里帮助我们、为我们提供以下 DRV8899 的申请。

  1. 温度范围内（–40°C 至 125°C) 的高侧 RDS (on) 和低侧 RDS (on)
  2. 高侧 RDS (on) 和低侧 RDS (on) 在 VM 电压范围 (5V 至 45V) 内的变化

提前感谢。

Rahil Ahamed

 

 

 

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以及 3.  高侧 RDS (on) 和低侧 RDS (on) 与相位负载电流间的关系  

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    尊敬的 Rahil：

    感谢您联系我们。 对于 1 和 2、请使用此数据表的第 12 页 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8889-q1.pdf。 这也适用于 DRV8899-Q1。

    我们没有 3 个数据。 您可能必须从温度图中间接推断出这一点。 更高的电流=更高的耗散和更高的温度。 希望这对您有所帮助。 谢谢你。

    此致、Murugavel   

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    TI__Guru**** 2668435 points
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    您好 Murugavel、  

    根据数据表规格、与 DRV8899 相比、DRV8889 器件具有更小的 Rdson（请参阅下面的红色图片）。

    请说明、如何考虑 DRV8899 器件的 DRV8889 器件 Rdson 曲线的特性？  

    我需要以 0.7A@–40C、0.44A@+30C 和 0.35A@+105C..please 的最坏情况相电流驱动步进电机（在电压控制模式下）、在上述相电流条件下提供 Rdson（高侧/低侧）。

    谢谢

    Rahil

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    尊敬的 Rahil：

    这两个驱动器中使用的输出 FET 是相同的、因此 图是相同的。 我建议的曲线图也适用于 DRV8899-Q1。 这两款器件之间还有其他一些差异、具体而言、DRV8899-Q1 没有失速检测功能、并具有较低的 IFS 电流特性、如电气特性表中所示。  

    [引用 userid=“590213" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1578445/drv8899-q1-high-side-rds-on-and-low-side-rds-on-over-temperature-range/6081310 ]我需要在电压控制模式下以 0.7A@–40C、0.44A@+30C 和 0.35A@+105C..please 的最坏情况相电流驱动步进电机、为上述相电流条件提供 RDSon（高侧/低侧）。[/报价]

    请参阅图、这些也是 DRV8899-Q1 的值。 良好的 PCB 热设计是实现出色热性能的关键。 与 RGER 封装相比、PWP 封装具有更好的热性能。 谢谢你。  

    此致、Murugavel  

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    您好 Murugavel、

    以下各图是 IO => 1.0A 相电流的情况吗？

    谢谢  
    Rahil

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    TI__Guru**** 2668435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rahil：

    图中的 Rdson 是在 Rdson 测量期间未升高 FET 温度（短时测量）的情况 下测量的、表示 FET 在该温度和所示电压下的真实 Rdson。 您可能会注意到、在电压下、Rdson 相当恒定。 同样、一旦 FET 在导通条件下完全饱和、它就不会随电流而变化。  

    根据图中所示、Rdson 会随温度而变化。 Rdson 随电流的变化受 I2Rdson 损耗的影响、该损耗  会增加 FET 温度、从而增加 Rdson。 例如、要计算 1A 时的 Rdson、您必须计算 1A 时器件的功率耗散、使用 RθJA 规格和 TA 估算裸片温度。 根据估算的裸片温度、您可以从图中推断出 Rdson、即器件在系统中时 FET 在 1A 电流下的 Rdson。 希望这对您有所帮助。 谢谢你。

    此致、Murugavel  

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    TI__Guru**** 2668435 points
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    感谢您的支持。