[参考译文] DRV8300：DRV8300D 应用问题

您好、Brian、

PWM 输入不需要 RC 滤波。

2.死区时间可以为 200ns 以实现正常安全操作。 以下说明了死区时间对系统的影响。

更短的死区时间 –如果您的系统稳健、可以确保不会根据前置驱动器的输入发生击穿。 但时间短通常会导致击穿、因此默认值为 100ns。 如果您的应用不是 BLDC 电机、并且 MOSFET 单独工作、则不会出现击穿问题、因此 50ns 应该可以正常工作

 更长的死区时间将降低发生击穿的可能性。 但高死区时间可以降低电机电压、如果您需要高电机电压、可能并不理想。 但这取决于您的具体应用。  

3、反极性的使用是为了使栅极可以控制一个高和一个低与相同的输入。 这可能用于使用更少的 MCU 信号。 如果您希望使用单独的 MCU 信号单独控制每个输入、请保持相同的极性。

您好、Brian、

1.添加不会有任何危害,所以客户可以添加,如果他们想. 但 EMI 的主要关注点通常位于输出侧。 客户可以使用 RC 缓冲器和稍高的栅极电阻来限制驱动电流。

2.嗨 Brian、唯一的区别是、在 3x PWM 模式下操作可以省去几个引脚、而不是 6 个单独的栅极控制。 如果客户在 MCU 上的可用引脚有限、则可以使用同相模式。

3.这是一个常用的二极管,用于为栅极创建独立的放电路径。 我非常建议在这里添加一个电阻器、以便客户可以限制栅极放电速度、帮助微调其系统。 他们需要对栅极电阻值进行实验、为其 MOSFET 和系统找到合适的电流。

4.是的驱动器具有击穿保护功能,可防止同相高侧和低侧发生跨导短路事件。

谢谢、

Joseph