Other Parts Discussed in Thread: DRV8908-Q1EVM
器件型号: DRV8906-Q1
主题中讨论的其他器件: DRV8908-Q1EVM
芯片是 DRV8906、我手中的评估板是 DRV8908-Q1EVM。 当前问题是每当 I BRAKE 时、都会报告短路故障。 每次都必须清除寄存器。 如何解决这个问题。

OLD_NEG_EN 已设置为 1

此致、
Marvin
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器件型号: DRV8906-Q1
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芯片是 DRV8906、我手中的评估板是 DRV8908-Q1EVM。 当前问题是每当 I BRAKE 时、都会报告短路故障。 每次都必须清除寄存器。 如何解决这个问题。

OLD_NEG_EN 已设置为 1

此致、
Marvin
尊敬的 Li:
DRV89xx-Q1 要求电流流经 FET、从而无法检测开路负载故障。 在这种情况下、由于器件未通过 FET 驱动电流、因此报告了 OLD 故障。 如果流经 FET 的电流过低、则可以启用低电流 OLD、并使用两个低侧 FET 制动电机、从而不会错误地检测到 OLD。
如果需要、您可以使用 OLD_CTRL_2 更改器件对旧报告的反应、因此不会对输出进行 Hi-Z 控制、并且器件可以在不需要 CLR_FLT 命令的情况下继续驱动半桥。
此致、
Joshua
您好、Joshua、
按照您的说明、我启用了低电流开路检测功能并使用了低制动。 然而、在制动过程中、不仅会发生开路故障、还会出现过流现象。 如果车辆在没有制动的情况下运行、则会发生过流故障。
最后、我想解释一下我的配置和要求。 我们使用连续模式来控制直流电机、但我们不希望在正常制动过程中发生任何故障。 是否有必要配置一些寄存器来解决这个问题?
似乎没有办法发送照片。 有一个链接,你可以尝试看看它是否有效。https://share.note.youdao.com/s/GZjJoQFY
此致、
Li
尊敬的 Li:
分辨率似乎不够高、无法看到电流尖峰的完整振幅、我看到的是 500Hz 频率和 4ms 的时间刻度。 当低电流模式启用时、低侧 FET 的 OCP 限制为~Ω 0.163mA。 我认为不应对该电机使用低电流 OLD、它似乎消耗的电流高于预期、因此会导致出现 OCP 故障。
明天我会就这个问题再回来、我需要在实验室中进行一些测试、以确认我有的一些怀疑。
此致、
Joshua
尊敬的 Li:
我被误认为是 OLD 负电流功能在此器件中的作用。 负电流 OLD 要求电流在另一个 HS FET 开路时通过其中一个 HS FET 的体二极管再循环。 如果在两个 HS FET 都导通的情况下进行制动、则需要在制动时禁用 OLD 特性、然后可以在再次驱动电机时重新启用该特性。
如果您更喜欢在制动时使 OLD 保持导通状态、则可以禁用启用了 LS FET 的半桥或禁用两个半桥。
我关于低电流 OLD 模式的注释仍将适用、电机的电流将导致 OCP 故障、因此请忽略我的注释以启用此功能。
此致、
Joshua
您好、Joshua、
我已收到您提供的解决方案并对其进行了测试。
方法 1:您的意思是、在应用制动器之前、您需要关闭“旧“功能、然后在制动完成后再次打开?
方法 2:“您可以在启用 LS FET 的情况下禁用半桥。“ 本句对我来说意味着、我应该关断已启用半桥的低侧电路、仅使高侧半桥导通。 这是否仍然制动? 在我的测试之后、仍然显示开路故障。

方法 3、“或禁用两个半桥“-这是否告诉我关闭所有半桥? 这应该是滑行模式、不再是制动模式、对吧?
此致、
Li
尊敬的 Li:
方法 1:您的意思是、在应用制动器之前、您需要关闭“旧“功能、然后在制动完成后再次将其打开?
正确、如果您希望在两个 FET 都导通的情况下制动电机、这是最佳方法。
这是否让我关闭所有半桥? 这应该是滑行模式、不再是制动模式、对吗?
这会将半桥置于滑行模式、在该模式下、 电机能量通过体二极管耗散、而制动模式则是使用 FET 的 Rdson 耗散电机能量。 我提到这种方法的原因是、在禁用 FET 的情况下、无法检测到 OLD 故障、因为没有 FET 被启用。
"您“您可以禁用启用 LS FET 的半桥。“ 本句对我来说意味着、我应该关断已启用半桥的低侧电路、仅使高侧半桥导通。 这是否仍然制动? 在我的测试之后、它仍然显示开路故障。
这仍将停止电机、但电机不会处于制动模式。 实际上预计会发生 OLD 故障、抱歉、这是因为 HS FET 仍处于导通状态、并且在 tOCP 时间内通过 FET 的检测到< IOLD。
在制动模式期间、如果电流衰减至低于 IOLD、一旦告知电流超过此阈值、就 会报告 OLD 故障。 因此、在制动时、除非您再次启动电机、或在指定的时间内设置两个半桥 Hi-Z、否则会报告 OLD 故障。 制动时仍需要开启负电流、否则具有从 OUTx 到 VM 电流的 HS FET 将比预期更早报告 OCP 故障、这应该在 HS FET 启用后~3ms。
此致、
Joshua