器件型号： DRV8718-Q1
您好团队：
在我们的 EVM 设计中、半桥 2 和半桥 3 GND 采用不同的连接方式、HB2 连接到 GND、HB3 连接到 PGND1。 我有几个问题：
3.如果客户使用内嵌式+低侧感测,是否应将 PGND1 连接到 A1 和 A2 ?
4.如果客户同时使用两个低侧检测,是否应将 PGND1 连接到 B1 和 B2 ?
BR、
Daniel
您好 Daniel、
对于问题 1 和问题 2：我们建议将 PGND1 和 2 连接到 GND。 在原理图中、您可以看到所有半桥 MOSFET 源极都连接到 GND。 为 PGND1 和 PGND2 提供了测试点、并将 PGND 连接到 HB3 和 HB7 源处的 GND。 从电气角度而言、这是 PGND1、2 的 GND 平面连接。 该 EVM 在 SH2 和 SH7 处为 HB2 和 HB7 使用直列式电流检测电阻。
和布局显示所有 MOSFET 源极都连接到 GND。
对于问题 3 和 4：在 DRV8718S-Q1 中、PGND1 是 HB1 到 HB4 低侧源的公共连接、PGND2 是 HB5 到 HB8 低侧源的公共连接。 内部连接不能分离。 因此、如果在 PGND1 和 GND 之间连接一个低侧电流检测电阻器、则检测到的电流将是通过所有四个半桥 HB1 至 HB4 的电流之和。 如果将四个半桥用作两个全桥、设计人员必须记住这一点。 无法将全桥 1 电流与全桥 2 电流进行区分。 您在问题中显示的绿色连接线带有选项 A 和 B、这些连接已经是设备内部的。 请参阅以下信息。
为了实现独立的全桥电流检测、必须使用直列式电流检测。 由于 DRV8718S-Q1 只有两个电流检测放大器 CSA、因此可能需要另外两个外部 CSA。
对于只有 HB1 至 4 组或 HB5 至 8 组中一个全桥的系统、可以使用低侧电流检测、因为无论如何、另一个全桥电流都为 0。 我希望这是明确的。
此致、Murugavel
