[参考译文] DRV8889-Q1：如何使用 DRV889 连续检测 OCP

嗨、 Jonggyeon、

感谢您的发布。

我使用 CTRL4 的选项来检测过流。
0x0C3A、//[6](RW) CTRL 4 设置为 LOCK：011、EN_OL = 1、OCP_MODE = 0、OTSD_MODE=1、TW_REP = 0。
如果电机引脚短路、则使用 SPI 读取状态并 b11 = OCP
0x800 和并检测短路。[/报价]

此策略适用于过流检测。 当 OCP_MODE = 0 锁存故障时、当检测到 OC 时、将自动禁用输出、并报告锁存 OCP 故障以及 nFAULT 低电平。  

确认故障状态的 FAULT 和 OCP 在检测到时锁存为 1。

我懂了。

、我能够发送 0x0CBA 并进行读取以确认 FAULT 和 OCP 是否为零。

您正在写入 CTRL4 0xBA 以调用 CLR_FLT。 CLR_FLT 将瞬间清除锁存的故障并启用驱动器输出。 但是、如果故障仍然存在（在本例中为 OC）、则锁存 OCP 将在超过输出电流后立即发生、并保持  > IOCP 且持续时间> tOCP。 实际上、您正在立即进行自动重试、这可能不是在 OCP 锁存故障启动后立即执行的正确操作。  

使用 SPI 执行读取状态、并且 b11 =如果存在连续短路、无论 CLR_FLT（如果 1 消失）如何、OCP 引脚都会显示 0？？

每当您通过 SPI 发送 0x0CBA 时、您都会调用 CLR_FLT、并通过仅清除故障来启用驱动器（假定条件持续存在）。 一旦检测到此锁存故障、就会出现状态 OCP 1 和 nFAULT = 0。 只有在 CLR_FLT 设置为 1（自动清除）后、它才会在短时间内被清除。  

那么我是否应该在保持短路的同时发送 CLR_FLT、不是检查 b11 = OCP、而是持续检查 b11 = OCP、如果不是短路、则发送 CLR_FLT？ 我还没有尝试过这种方法。
我尽量简短、一直发送 CLR_FLT。 继续

从  μs 角度而言、您不得在短路持续时发送 CLR_FLT、因为会在几 μ s 内检测到另一个 OCP。 如果您将 OCP_MODE 设置为 1、DRV8889-Q1 将在约 4ms 后自动重试。 数据表的下表介绍了故障反应和恢复建议。  

但是、我的目的是在发生电机短路时停止电机、如果在 10 秒内消除电机短路、则重置电机。
因此、我希望通过发送 0x0CBA 并同时保持电机引脚短路来将 FAULT 和 OCP 引脚降至零、但这似乎无法正常工作。 在保持短路的同时持续发送 CLR_FLT 来检查短路状态、这不是正确的方法吗？

为此、您必须按如下方式更改策略。 一旦检测到 OCP 故障（通过检测 nFAULT = 0 和/或读取 OCP = 1 的状态寄存器）、就会在控制器 MCU 中启动一个计时器并等待 10s。 10s 到期后、写入 CTRL4 0xBA 以执行 CLR_FLT。 如果过流情况已消除、则驱动器将从此时开始继续运行。 但是、如果过流情况持续存在、nFAULT 和 OCP 将再次锁存。 您可以根据需要多次重复此循环。 谢谢你。

此致、Murugavel   

[/quote]

你好。 首先、我感谢你详细回答了我的问题。
您告诉我、如果 OCP 发生且=0x01、MCU 将运行计时器并在 10 秒后发送 CLR_FLT 来检查 OCP 状态、对吗？

但是、我的客户在发生短路时会停止电机、并且 OCP = 0x01、因此到目前为止。
但是、10 秒后、我再次检查电机的状况、并告诉他们在 OCP 为 0x00 时不要启动初始操作、而是在发生短路时停止电机、如果在 10 秒内消除电机短路、则在 2 秒 3 秒 4 秒的任何时间启动初始操作。 10 秒钟后、我被告知发送一个 DTC 代码。

还有其他方法吗？
我想我没有回答关于我在最后说什么的部分
如果在不发送 CLR_FLT 的情况下消除了短路、OCP 引脚是否会更新为 0x00？ 当然、在发送 CLR_FLT 之前、motoric 将不起作用！
如果这样做是正确的、我认为当发生短路时、我可以在 MCU 中运行 10 秒计时器时继续检查 OCP 的状态、然后在发生 0x00 时发送 CLR_FLT。 这是不可能的？？

嗨、 Jonggyeon、

感谢您的跟进。

您告诉我、如果 OCP 发生且=0x01、MCU 将运行计时器并在 10 秒后发送 CLR_FLT 以检查 OCP 状态、对吧？

是、正确。 我对事件链的假设如下。

1. 例如、我认为其中一根输出导线断开、对线圈连接短路。
2. 检测到 OCP、OCP 位 1b 且 nFAULT =低电平。 输出被自动禁用。
3. 如果短路是瞬时的、并且在 10 秒内自行修复（假设移动的车辆撞到坑洞）、或者在测试 OCP 时手动修复。
4. CLR_FLT 在 10s 后发出
5. OCP 位 0b 和 nFAULT =高电平、所有输出均正常。

但是、我的客户在发生短路时停止电机、并且电流= OCP=0x01、因此到目前为止。

对。

但是、10 秒后、我再次检查了电机的状况、并告诉他们如果 OCP 为 0x00、则不要启动初始操作、而是在发生短路时停止电机、如果在 10 秒内移除电机短路、则随时启动初始操作 2 秒 3 秒 4 秒。 10 秒后我被告知发送一个 DTC 代码。

OCP 保护功能不是在 DRV8889-Q1 中工作的方式。

如果在不发送 CLR_FLT 的情况下删除了短路、OCP 引脚是否会更新为 0x00？ 当然、在发送 CLR_FLT 之前、motoric 将不起作用！
如果这样做是正确的、我认为当发生短路时、我可以在 MCU 中运行 10 秒计时器时继续检查 OCP 的状态、然后在发生 0x00 时发送 CLR_FLT。 [/报价]

在短路检测后、OCP 将锁存为 1b。 DRV8889-Q1 当短路条件消除后、不会自动将 OCP 更改为 0b 。 这就是 OCP 的锁存设置的行为方式。 OCP 位只能通过 CLR_FLT 清除。 在该锁存模式下、查明是否仍然存在短路的唯一方法是执行 CLR_FLT 来重新启用输出并查看是否再次检测到 OCP。  

还有另一种 OCP 模式、即通过 CTRL4 寄存器中的 OCP_MODE = 1b 选择自动重试模式。 在此模式下、您无需对 MCU 执行任何操作。 在 tRETRY 之后会自动清除故障、对于该器件、该值为 4ms。  

OCP 或短路事件链如下所示。

1. 发生短路。
2. 检测到 OCP。  OCP 位 1b 和 nFAULT =低电平。 输出被自动禁用。
3. 经过 4ms 后、DRV8889-Q1 会自动清除故障、nFAULT =高电平、FAULT 和 OCP 位被清除 0b、输出变为有效。
4. 如果短路或 OC 情况持续存在、将再次检测到 OCP。 这在上述步骤 2 中无限重复。 只要消除短路、此周期就会退出、器件将正常工作。
5. 如果在重复事件 2 至 4 期间器件温度因某种原因升高、将发生 TSD 热关断保护。 所有输出将被禁用。
6. 根据 CTRL4 中的 OTSD_MODE 位设置、有两种可能。
   1. OTSD_MODE = 0b。 这将是锁存故障 OTS、TF 和故障设置为 1b、nFAULT =低电平。 即使在器件冷却后它也不会被清除、直到发出 CLR_FLT。
   2. OTSD_MODE = 1b。 OTS、TF 和故障设置 1b、nFAULT =低电平。  在 IC 冷却至迟滞温度水平以下后、输出将再次启用、 OTS、TF 和故障复位 0b、nFAULT =高电平、 并从#2 重复该周期。
7. 上述操作是 DRV8889-Q1 中的内置自动重试功能。

希望这对您有所帮助。 谢谢你。

此致、Murugavel  

再次感谢您的回答。
最终、我每秒发送一次 CLR_FLT、当它在 10 秒内返回时、如果发生 OCP 和 OL、它会继续复位并持续 10 秒、然后如果它被禁用、我不确定它是否会正常工作。

您能回答这个帖子中的其他问题吗？
这是 DRV889 的温度问题。
我当前将 OTSD_MODE 用作 1、将 TW_REP 用作 0。 据测试负责人介绍、我的步进电机执行器目前在高温潮湿环境下不工作。 我在这里说的高温可能会从 0 上升到 90 度,有没有办法摆脱温度限制? 也会自动重置。 隔壁使用其他公司 BD63800 IC 的公司告诉我,他们已经解除了所有的温度条件。

Hi Jongyeon、

最终、我每秒发送一次 CLR_FLT、当它在 10 秒内返回时、如果发生 OCP 和 OL、它会继续复位并持续 10 秒、然后如果它被禁用、我不确定它是否会正常工作。

听起来不错。

我目前使用的是 OTSD_MODE 为 1、TW_REP 为 0。 据测试负责人介绍、我的步进电机执行器目前在高温潮湿环境下不工作。 我在这里谈论的高温可能从 0 到 90 度,有没有办法摆脱温度限制?[/报价]

OTSD 阈值在 DRV8889-Q1 器件中进行硬编码、无法更改。 最小规格为 150°C 。 DRV8889-Q1 应在 TA = 90°C 下运行 。 您能分享一下原理图吗？ VM 电压、设置的电机 IFS 满量程电流以及使用的 SR 设置是多少？ 我们已 验证器件在 150°C 频率下可按预期工作 。   

此致、Murugavel  

Hi Jongyeon、

这是我当前使用的 IC 设置。
500PPS (1/8 4000PPS)、压摆 35V/us、TRQ_DAC 43.75%
测试电压是 13.2V 输入、但由于它通过 DIO、提供给 VM 的电压实际上将在 12.5V 和 12.6V 之间。

对于 VREF 引脚、MCU 的输出为 5V、6.8k Ω 和 13k Ω 进行分压、并提供大约 3.3V 的电压。

说到压摆率、10V 至 35V 之间的 EMC 性能是否有很大差异？ 我知道数字越低越好。

设置看起来正常。 SLEW 35V/us 设置主要用于许多应用并通过 EMC 测试。

根据此选项、哪个频带会受到噪声的影响吗？ 我们正在准备进行 EMC 测试、并会在 100MHz 频带附近产生噪声。 这是当前的 CE 测试。

请参阅下面的 CISPR-25 使用 DRV8889-Q1EVM 提供的数据。  

e2e.ti.com/.../8267.DRV8889_2D00_Q1-CISPR_2D00_25-data.pdf

在 STRC（纹波控制）衰减模式下、电流调节的 TOFF 时间根据电流目标和电机 BEMF 而变化。 通常、较低频率的 PWM 与 STDD（动态衰减）固定 TOFF、用于电流调节。 PWM 频率往往更高、甚至在 100kHz 范围内也是如此。

在 PCB 上的步进电机连接器附近的每个输出 AOUT1、2 和 DOUT 1、2 之间添加四个接地电容器将有助于降低开关 EMI。 如果电机线束的导线更长、值可能会在 4.7nF 至 10nF 范围内、有时会更高。 谢谢你。

此致、Murugavel   

您好、感谢您的答复。
您提供的答案和数据似乎与电机的辐射噪声有关、但我遇到问题的部分是作为 CE 流过线束的电流噪声。
它在 100MHz 频段出现了问题、而不是 100k。
STEP 电机的引脚直接连接到 PCB 基板并被焊接
电源线束的长度约为 1.8 米
添加电机输出端的电容器后、电机电辐射噪声得到改善、但相反、CE 测试性能下降。

我使用智能调优动态衰减进行失速检测。 在这种情况下、将 TOFF 值从默认值更改为其他值时、它是否会影响？ 如果有冲击、在 4000pps 的电动机级别、我们能否知道哪一个更适合短或长噪声？

Hi Jongyeon、

您提供的答案和数据似乎是关于电动机的辐射噪声、

我懂了。 我只想分享我们针对该产品获得的所有测试结果。

您提供的答案和数据似乎是关于电机的辐射噪声、但我遇到的问题是作为 CE 流过线束的电流噪声。
它显示的是 100MHz 频段中的问题、而不是 100k。

我明白。 我提出的建议是、由于开关频率为 100kHz、谐波可能会扩展到更高的频带。  

STEP 电机的引脚直接连接至 PCB 基板并被焊接
电源线束的长度约为 1.8 米。

在 VM 引脚的电源中使用滤波器应该有助于缓解这种情况。 EVM 原理图显示了此路径中的 π 型滤波器以及您可以参考的 L 和 C。

我正在使用智能调优动态衰减进行失速检测。 在这种情况下、将 TOFF 值从默认值更改为其他值时、它是否会影响？ 如果有影响、在 4000pps 的电动机级别、我们能否知道哪一个更适合短或长噪声？

对于失速检测、必须使用 STRC（纹波控制）衰减。 这就是寄存器设置中的值。 在此衰减模式下、TOFF 设置被忽略并由器件自动控制。 谢谢你。

此致、Murugavel  

感谢您的回答。
半年前、我对相同的电机和相同的电机 IC 设置值没有问题。

如果传递到 VREF 的值发生变化、会产生影响吗？ 我以前问过一个问题,但我没有得到答案。
由于检查电路、除了电压值 (2.9V > 3.3V) 并且由于电阻变化而发送到 VREF 的 LIN IC 没有其他变化。
SPI 提供的电机 IC 设置相同。

如果我不使用智能调优、TRQ_COUNT 无法响应我？ 我只使用 TRQ_COUNT、不使用与失速相关的故障。 我只是在 TRQ 计数低于某个水平时使用它来执行 DRVOFF。
除了与 SMARTTUNE 选件配合使用 TOFF 之外、我还无法使用哪些选项？？
如果我不使用空白选项、我会被告知如果我使用 500ns、遵循压摆设置、这样是否也会产生影响？ 如果我使用 SMART、它是否仍然不可用？

过去、EMC 测量是使用相同的 IC 设置进行的。
区别在于提供给 VREF 的值+具有不同 LIN IC 的 PCB 中的电流截止结果值。 电机也是在同一个地方制造的、但我认为可能存在偏差。

Hi Jongyeon、

如果传递到 VREF 的值发生变化、会不会有影响？ 我以前问过一个问题,但我没有得到答案。
由于检查电路、除电压值 (2.9V > 3.3V) 以外、其他任何内容均未更改【报价】

很抱歉、这次错过了。 如果 VREF 从 2.9V 变为 3.3V、但 TRQ_DAC 用于设置相同的电流、则应该没有影响。 但是、如果 TRQ_DAC 没有改变、电流设置将会更高、这会改变开关模式、从而可能产生影响。

如果我不使用智能调优、TRQ_COUNT 就找不到我了？ 我只使用 TRQ_COUNT、不使用与失速相关的故障。 我只是在 TRQ 计数低于某个水平时使用它来执行 DRVOFF。

TRQ_COUNT 仅在智能调优纹波控制 STRC 衰减模式下可用。 但并非在所有其他衰减模式下都起作用。

除了 toff 与 SMARTTUNE 选项之外、我还不能使用哪些选项？

STRC 衰减是自控的、不提供任何用户选项来更改其工作方式。 电源电压 VM 的变化会改变导通和关断时间 TON 和 TOFF。  

EMC 测量是在过去使用相同的 IC 设置进行的。
区别在于提供给 VREF 的值+具有不同 LIN IC 的 PCB 中的电流截止结果值。 电机也是在同一个地方制造的、但我认为可能存在偏差。

PCB 是更改了还是同一 PCB 具有不同的 LIN IC？ 与过去相比、电缆线束也发生了变化？  

此致、Murugavel  

[/quote]

感谢您的友好回答。
1. Vref 值已更改、其余的 SPI 设置相同。
最后、2.9V + TRQ_DAC 43.75%和 3.3V + TRQ_DAC 43.75%。

2、3。 因此、如果我使用 START 函数、我可以控制的函数不多、对吧？ 除了扭矩限制、STEP、PPS 或诊断故障、对吧？

4. MCU、DRV889 和 LIN IC 在我的 PCB 中、但 PCB 元件的放置随着 LIN IC 的变化而改变。 我当时使用的是相同的电缆线束。
该软件还将以与过去结果相同的方式应用。
我想知道 VREF 的变化在这种程度上是否会影响 50 到 100MHz 频带、从而影响图案形状。 如果通过分压电阻或 PWM 来解决它、我会很高兴、因为这是 VREF 值问题。

Hi Jongyeon、

请参阅下面的简要方框图。 VREF 和 TRQ_DAC 最终将正弦 DAC 输出调节到 Itrip 比较器以进行电流调节。 最终值将是将 Itrip 比较器的-ve 输入变为的模拟电平。  

2,3. 因此、如果我使用 START 函数、我可以控制的函数不多、对吧？ 除了扭矩限制、步长、PPS 或诊断故障、对吗？

请阐明您是否指的是 DRV8889-Q1EVM GUI 启动功能。 除了您提到的设置外、GUI 中还有其他几种设置。 我不在这里关注。

[quote userid=“630110" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1592647/drv8889-q1-how-to-continuously-detect-ocp-using-drv889/6155844 MCU、DRV889 和 LIN IC 位于我的 PCB 中、但 PCB 元件的放置随着 LIN IC 的变化而改变。 我当时使用的是相同的电缆线束。
该软件还将以与过去结果相同的方式应用。
我想知道 VREF 的变化在这种程度上是否会影响 50 到 100MHz 频带、从而影响图案形状。 如果通过分压电阻或 PWM 来解决它、我会很高兴、因为这是一个 VREF 值问题。[/报价]

感谢您提供详细信息。 根据器件的内部架构、很难令人信服地说 VREF 的变化导致了这个问题。 尽管如此、这将是一个简单的检查项目、但做了一些小的修改、正确吗？ 谢谢你。

此致、Murugavel   

你好。
这是一个简单的方法,但由于 韩国目前没有实验室时间表,我认为我们应该提前准备好。
因此、可以说 VREF 引脚的 EMCeffect 很小。
不过、当 SLEEP 引脚降至低电平时、噪声显著降低、因此与 DRV8889 相关的问题似乎是正确的。

这是 nSleep 引脚置为低电平和高电平时的差异。 电机未运行。

此外、我刚才移除了 470nF 的 DVDD、因此当我打开 DVDD 时、得到的结果值与我将 nSLEEP 设置为低电平时相同。
是否有理由将 DVDD 用作 470nF？ 是用于功率稳定还是噪声消除？ 是否包含较小的值很重要？？
DVDD 称为 DRVOFF 引脚和 nSCS 引脚的上拉电源。

当我连接 470nF 至 220pF 时、它工作得很好、但逻辑函数出现故障、当我连接 1nF 时短时间内没有故障、但我认为我不能使用它。 是否有办法可以改善由 DVDD 引起的噪声？？
如前所述、当我移除 470nF 的 DVDD 时、噪声比进入睡眠模式时少。
还是应该断开 DVDD 相关器件（如 drvoff 引脚或 NSC 引脚）的电路并在中间插入电阻？？
我怀疑与 DVDD 相关的功能有问题、但当我降低 DVDD 的 470nF 电容时、我发现 IC 逻辑存在问题、无法清楚地检测到故障。
与 DVDD 相关的事项有哪些？

你有任何疑问吗?
这很难、因为电荷泵、逻辑、DVDD 的情况很多。

Hi Jongyeon、

因此、可以说 VREF 引脚的 EMCeffect 很小。
但是、当 SLEEP 引脚降低到低电平时、噪声显著降低、因此似乎与 DRV8889 相关。

如果 nSLEEP 为高电平、即使电机未运行、电荷泵也处于活动状态、片上 DVDD LDO 处于活动状态，内部数字电路处于活动状态 — 内部数字模块有一个 10MHz 数字时钟、当器件处于唤醒状态时、该时钟处于活动状态。 当器件处于唤醒状态时、即使不存在阶跃输入、启用输出时、基于 VREF 的电流调节也会激活。   

如果没有正确的 DVDD 电源、整个内部数字和电荷泵可能会出现故障。 因此、您在移除 DVDD 电容器的情况下看到 nSLEEP 低电平的结果相同、因为在这种情况下、数字器件可能已停止工作。  

DVDD LDO 需要 470nF 的电容来实现 LDO 稳压器稳定性、因此我们建议使用该值、不是较低或不高。 对于较小的 DVDD 电容器或已移除的电容器值、我们无法保证 LDO 正常工作。  

或者我是否应该断开 DVDD 相关部件的电路、例如 drvoff 引脚或 NSC 引脚、然后在中间插入电阻？？
我怀疑与 DVDD 相关的功能有问题、但当我降低 DVDD 的 470nF 电容时、我发现 IC 逻辑存在问题、无法清楚地检测到故障。[/报价]

DVDD 外部负载应 约为 1mA 标称值、不得超过 2mA、否则器件可能会出现故障。 以低电流上拉至 DVDD 应该可以正常、请仔细检查值并确保负载在 1mA 附近。 该驱动器的整个数字内核运行需要适当的 DVDD 电压。 谢谢你。

此致、Murugavel   

您好、感谢您的答复。
从顶部的电路可以看到、除了 DVDD 和 nFault 引脚外、没有连接任何器件。 当 470nF 降低到某个值（例如 1nF 或更低）时、噪声降低、但经证实其工作不正常。
我们尝试移除 CPH 和 CPL 之间的电容器以及 VCP 和 VM 之间的电容器。 然而、结果是、仅当我们通过物理断开 VM 引脚来禁用 DVDD、将 nSleep 设置为低电平或移除 DVDD 的 470nF 电容器时、在 50 –100MHz 范围内的噪声水平较低。
我已经遵循了所有的基准电路、但现在这里的基准电路并不能正常工作、所以我想摆脱这个问题、是否有其他信息可以帮助我？？？ 所有引脚都已遵循基准。

Hi Jongyeon、

很遗憾听到您无法确定系统中 EMC 问题的解决方案。  

从顶部的电路中可以看到、除了 DVDD 和 nFault 引脚外、没有任何连接。

这是没问题的、可供当前发货的多个应用程序使用、而不会出现任何问题。  

当 470nF 电容降低到某个值（例如 1nF 或更低）时、噪音降低、但确认它不能正常工作。

可以降低噪声、因为数字内核可能已停止工作。 这可能意味着基于布局的问题是干扰谐波的来源。  

我们尝试移除 CPH 和 CPL 之间的电容器以及 VCP 和 VM 之间的电容器。 然而、结果是、仅当我们通过物理断开 VM 引脚来禁用 DVDD、将 nSleep 设置为低电平或移除 DVDD 的 470nF 电容器时、在 50 –100MHz 范围内的噪声水平较低。

我理解正确、移除 CPH 和 CPL 以及 VCP 和 VM 电容器没有做任何更改。 这意味着电荷泵不是干扰源。  

如果您停止了驱动程序内部数字功能、此干扰将消失、这意味着存在某种天线效应。 这说明了某种与电路板布局布线相关的问题。 散热片是否连接到 GND？  

我已经遵循了所有的参考电路、现在它在这里没有解决、所以我尝试摆脱这种困境、是否有任何其他信息可以帮助我？？？？ 所有引脚都已遵循参考。

自 2020 年以来、有多款产品目前发货、这些产品使用 TI 的推荐电容器和布局通过了 EMC 测试。 用于缓解 EMC 的一些常见选项包括在 GND 的输出端使用高达 10nF 的电容器、像我们的 EVM 中那样为 VM 电源使用 π 型滤波器 — 请参阅下文，以及在 VCP 到 VM 连接之间使用与电容器桥臂串联的铁氧体磁珠（如果是电荷泵）是 EMC 的来源。  

1) 电机与 PCB 断开连接时、2) 电机通过短电线连接到 PCB 时、EMC 频谱是怎样的？ 谢谢你。

此致、Murugavel  

感谢您的回答。
如前所述、DVD 稳压器中的某个元件放大噪声的感觉比电荷泵中的噪声更强烈。 它似乎不是电荷泵。 如您所述、我怀疑更改 470nF 的值会导致数字内核出现故障。 我认为这应该保留原样。
我提供电源输入电路。 此外、电机侧的电容器在顶部有一个电路、但它在每个 VM 引脚上有一个 100uF 的电解电容器和 10nF 的电容器、该电容器靠近 VM 引脚。

电机驱动器的底部表面均为 PCB GND。 我想这就是您在列中讨论的内容。

您提到了 GND 中一个 10nF 的电容器、除了 VM 引脚之外还有其他地方吗？

我上传的所有 EMC 结果都是在不运行电机的情况下给予 nSleep 高电平和低电平的结果。

如果我们没有通过这项测试,我们会谨慎行事,因为由于缺乏汽车零件开发计划,我们可以将其更改为另一家公司的步进电机 IC。

。

Hi Jongyeon、

正如您所说的那样、DVD 调节器中的某些元件放大噪音的感觉比电荷泵中的噪音更强烈。 它似乎不是电荷泵。 如您所述、我怀疑更改 470nF 的值会导致数字内核出现故障。 我认为这应该保留原样。

是、这是正确的。 DVDD 稳压器为执行内部开关时序生成的数字内核、用于步进驱动的数字分度器等供电 此活动可能会成为与 DVDD 相关的问题。  

电机驱动器的底部表面均为 PCB GND。 我认为这就是您在列中所说的。

我指的是 IC 封装底部表面的散热焊盘、PCB 顶部封装接口。 请参阅下面的。

您提到了一个 10nF 的 GND 电容器、除了 VM 引脚之外是否还有其他电容器？？

意味着输出到 GND、AOUT1、2 和 OUT1、2 有四个电容器、每个电容器从这些引脚连接到 GND。

我上传的所有 EMC 结果都是在不运行电机的情况下给予 nSleep 高电平和低电平的结果。

如果我们没有通过这项测试,我们会谨慎行事,因为由于缺乏汽车零件开发计划,我们可以将其更改为另一家公司的步进电机 IC。

您是否联系了为贵公司提供当地支持的当地 TI 现场应用工程师或销售工程师来寻求当地支持？ 谢谢你。

此致、Murugavel  

感谢您的回答。

通过检查、PCB 底面为 2.5 x 2.5、这符合硬件指南。
但是、电机 IC 底部的焊盘部分有九个具有 0.6 π 的孔。
这是否意味着减小电机 IC GND 面积？ 该器件是一个孔、用于促进散热。
我把大约 5cm 的导线放在空气中的这个垫的背面,并且噪音减少了
当我连接两根导线时、噪声几乎为零。
这是否意味着缺少 GND 区域？？

Hi Jongyeon、

通过检查、PCB 底面为 2.5 x 2.5、符合硬件指南。
但是、在电机 IC 底部的焊盘部分有九个具有 0.6 π 的孔。

我分享的图显示了此封装所需的最小散热过孔。 请参阅下面此封装数据表中的布局指南。 这显示了更多的散热过孔、以及最重要的是散热焊盘覆铜线迹如何连接到 GND。 具有更多散热过孔的点是好的、不会显著影响热传导面积。  

这是 DRV8889-Q1EVM 的顶层。

和显示散热过孔的底层。 确实有 9 个散热过孔。  

您使用的是 4 层还是 6 层 PCB？ 其中一层中应有 GND 平面、散热过孔必须以电气方式连接到该平面。 如果接地有效、则从驱动器正下方 PCB 底部将两根导线连接到空气中 不应进行任何更改。 这可能是整个 PCB 级接地问题、整个电路板是天线吗？ 您要面对的是某种事情。 希望您能尽快找到解决方案。  

此致、Murugavel  

我的答案很晚了。
实际上、我们使用的是两层 PCB。
生产类似产品的所有其他公司都使用四层 PCB。
我知道这是非常不利的噪音,但公司非常关心成本问题,所以我做了一个不可避免的选择。

当我通过跳线将 GND 连接到面向连接器的 GND 来连接到 DVDD 时、噪声显著降低。 这可能具有非常小的外露 GND 区域、谢谢。
我认为这不是电路中的器件问题。