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[参考译文] DRV8718-Q1:寄存器设置问题

Guru**** 2694555 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1600431/drv8718-q1-question-on-register-setting

器件型号: DRV8718-Q1

  1. 在 IC_CTRL1 寄存器中、位函数 LOCK_0、LOCK_1 和 LOCK_2。 我没有看到太多用来描述“lock"函“函数的词。 “我有什么事儿吗?“ 在这种情况下、使用锁定控制寄存器
  2. 这是 IDRVP_x 和 IDRVN_x 上的配置 它可以选择“低电流值“和“标准值“。 我是否可以知道低电流值的用例是什么? 如果设置低电流值、那么系数如何?
  3. 对于 DRV8718、对于全部 8 个通道、通过 EN_OLSC = 1 可以启用开路负载诊断。 如果我要部分禁用开路负载功能、是否可以相应地禁用半桥电流源 (PD_SHx 和 PU_SHx)? 然后、确切的 PD_SHx 将禁用开路负载功能。 其他通道处于启用状态   
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    您好 Bing、

    感谢您在此论坛上发布您的问题。

    在 IC_CTRL1 寄存器中、位函数 LOCK_0、LOCK_1 和 LOCK_2。 我没有看到太多用来描述“lock"函“函数的词。 “我有什么事儿吗?“ 锁定在哪种情况下使用控制寄存器

    如数据表中所述、这会锁定并解锁所有控制寄存器、防止意外写入。 控制寄存器都是名为 xxx_CtrlX 的配置寄存器。 设置锁定时、对这些寄存器的任何写入都将被忽略。 默认打开电源已解锁。

    有 IDRVP_x 和 IDRVN_x 的配置 它可以选择“低电流值“和“标准值“。 我是否可以知道低电流值的用例是什么? 如果设置低电流值、那么 benift 是如何设置的?

    当 IDRV_CTRL9 寄存器中的相应位被设置时、低电流值适用。 因此、允许在低于 2.3mA 的情况下选择更精细的栅极驱动。  在使用慢速压摆率时、这些 MOSFET 可能有助于实现更精细的控制。  数据表的第 9.2.2.1 节“栅极驱动器配置“中提供了特定 MOSFET 的栅极驱动器计算。  

    对于 DRV8718、对于全部 8 个通道、均可通过 EN_OLSC = 1 来启用开路负载诊断。 如果我要部分禁用开路负载功能、是否可以相应地禁用半桥电流源 (PD_SHx 和 PU_SHx)? 然后、确切的 PD_SHx 将禁用开路负载功能。 对于其他通道、是使能 [/报价]

    当 EN_OLSC = 1 时、所有 VDS 监控器功能变化以实现开路负载诊断、这意味着它们不再与 OCP VDS 监控功能相关联。 因此建议禁用 EN_DRV 进行开路负载诊断、因为过流保护将不可用。  这将禁用全部 8 个通道的输出、以避免忽略过流情况的风险、因为在 EN_OLSC = 1 时 VDS 监控功能不存在。  

    此致、Murugavel  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢、Murugavel

    对于第二个问题、我无法确定任何 MOSFET 请求、因此驱动电流很小 (2.3mA)。  我侧用于 Ciss = 1nF 的常规 MOSFET、需要更高的驱动电流。 我知道小电流 (2.3mA)。 MOSFET 集成电容器 CGD 远小于 Ciss。 如果 CGD 充电速度更快得多、则会出现很大的 EMC 问题。 我不确定 DRV8718 的小驱动电流是否主要用于为 CGD 充电以减少 EMC 问题。 但您知道整个充电阶段仅~2us、我不知道该位是否能够足够快地切换。 你的想法是什么?

    关于第三个问题、我想重新提出我的问题。 问题主要在于离线开路负载诊断。 例如、我想对 CH1 和 2 进行离线诊断、但其他通道已禁用离线开路负载诊断。 然后、如何在 EN_OLSC 和 OLSC_CTRL1 上配置寄存器

    我是否可以设置  EN_OLSC = 1、但设置禁用通道 PU_SHx 和 PD_SHx “禁用“?

    还有一个问题

    我在数据表中找不到 IVCP 的确切值定义。 请问 VCP 的电流能力是如何输出的?

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    您好 Bing、

    感谢您的进一步澄清。

    对于第二个问题、我无法生成任何 MOSFET 请求、因此驱动电流很小 (<MOSFET 2.3mA)。  我侧用于 Ciss = 1nF 的常规 MOSFET、需要更高的驱动电流。 我知道小电流 (2.3mA)。 MOSFET 集成电容器 CGD 远小于 Ciss。 如果 CGD 充电速度更快得多、则会出现很大的 EMC 问题。 我不确定 DRV8718 的小驱动电流是否主要用于为 CGD 充电以减少 EMC 问题。 但您知道整个充电阶段仅~2us、我不知道该位是否能够足够快地切换。 您的想法是什么?

    那么您是对的。 除非 SPI SCLK 远快于 16 SCLK 或 16 SCLK < 1 μs 或 1 SCLK = 62.5ns、否则该位无法足够快地切换、器件规格为 100ns 最小 SCLK。 此外、它无法与精确的时序同步。 MOSFET 的驱动电流转换为压摆率。 较低的电流仍会为 MOSFET 栅极充电、但会非常缓慢地使压摆率 SR 非常慢。 不确定它们是否可用于驱动有刷直流电机或电磁阀、例如慢速 SR 可能会显著增加开关损耗。 如果我找到有关此内容的任何其他信息、我将与您分享。 1 月 5 日之后的假期之后可能会出现这种情况。  

    [引述 userid=“624639" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1600431/drv8718-q1-question-on-register-setting/6168375

    关于第三个问题、我想重新提出我的问题。 问题主要在于离线开路负载诊断。 例如、我想对 CH1 和 2 进行离线诊断、但其他通道已禁用离线开路负载诊断。 然后、如何在 EN_OLSC 和 OLSC_CTRL1 上配置寄存器

    我是否可以设置  EN_OLSC = 1、但设置禁用通道 PU_SHx 和 PD_SHx “禁用“?

    [/报价]

    没错。 应该使 EN_OLSC = 1、并为不需要的通道禁用 PU_SHx 和 PD_SHx。 此外、每个通道都有自己的 VDS 比较器输出。 您可以只读取所需的 VDS 比较器输出以检查开路负载或者对 GND 或电池短路情况。 请参阅随附的示例策略、该策略可用于离线开路负载诊断、同时使用两个半桥作为全桥来驱动 BDC 电机或螺线管负载。

    e2e.ti.com/.../0576.DRV87xx_2D00_Q1_5F00_Offline_5F00_OL_5F00_SC_5F00_rev1.pdf

    [引述 userid=“624639" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1600431/drv8718-q1-question-on-register-setting/6168375

    还有一个问题

    我在数据表中找不到 IVCP 的确切值定义。 请问 VCP 的电流能力是如何输出的?

    [/报价]

    电荷泵不适用于驱动消耗连续电流的任何外部负载。 一个例外是使用 VCP 输出通过串联 10kΩ 电阻器驱动反向电池保护 MOSFET。 示例电路用于该器件的 EVM 电池反向保护。

    当没有其他负载连接到 VCP 输出且使用数据表中指定的电容器时、电荷泵旨在驱动支持的最大 IDRVPN_x 62mA 典型值、78mA 最大值持续时间至少为 96 μs 典型值 120 μs 最大值的 VGS_TDRV_xx  、而不会产生 CP UV 条件。   

    要求 VCP 输出电压的电流能力的目的是什么?  

    谢谢你。

    此致、Murugavel