Other Parts Discussed in Thread: DRV8262EVM, DRV8262VEVM
器件型号： DRV8262
下面提供了基于 DRV8262DDV 的定制电机驱动器板的原理图以供查看。
在相位模式下运行（VREF1/VREF2 由 DAC 输出驱动）时、nFAULT 引脚会在电机激励期间重复置位、并且相电流会呈现类似锯齿的波形、而不是稳定的电流曲线。 在相同的电机和控制条件下、TI 官方评估板正常运行、具有稳定的电流波形。
在当前设计中、OCPM 引脚配置为设置为自动重试模式的输入、并与 nFAULT 引脚共享一个上拉电阻器。 测量结果可确认 OCPM 电压保持稳定并且在 nFAULT 置位时不受影响。 虽然观察到的行为似乎与数据表中描述的自动重试 OCP 机制一致、但驱动器实际上无法恢复到正常运行。
我们希望得到援助 检查原理图连接是否正确 、并帮助识别任何 潜在电路或接地相关问题 导致在此定制 PCB 上错误地触发过流保护。
您好、
整体原理图看起来不错。 输出上的容性负载是一个问题。 1000nF (1uF) 电容器可能会在每个充电和放电周期驱动 PWM 的情况下允许高电流尖峰、并可能导致意外的 OCP。 隔离或移除这六个电容器并重复测试。
确保 ADC 输入不会加载并更改使用的 IPROPI 电阻。 带有缓冲输入的高输入阻抗应该是可以接受的。
要驱动有刷直流电机或电磁阀、请使用慢速衰减、 DECAY 引脚连接到 GND 。 使用两个电阻分压器与为 DECAY 引脚建议的驱动方法不匹配 — 请参阅数据表中的下表。
同样、对于 TOFF 引脚、请按照数据表中的建议使用逻辑高电平或 Hi-Z。
我在 VM 电源轨上没有看到大容量电容器、必须将其放置在靠近器件的位置、通常需要几百 μ F 的电容才能进行大电流驱动。
此外、散热器可能未正确安装在器件上、并且/或者散热器的冷却区域不足。 对于 DDV、即使在低电流驱动时也必须使用散热器、因为顶部散热片是采用此封装的唯一功率耗散热界面。
此致、Murugavel
Hi Xiang Rui,
感谢您的跟进。 OCP 问题是否已解决？ 这是什么原因？
我想问 OCPM 是否需要上拉电阻器（可能是 nSLEEP？） nFAULT 引脚的波形？ 此外、您能否分享 DRV8262EVM 的原理图？
请参阅下面数据表中的推荐外部元件表。 nFAULT 引脚需要一个上拉电阻器。
nSLEEP 引脚和 OCPM 引脚具有内部下拉电阻器。 请参阅数据表中的下面内容。 要唤醒器件、nSLEEP 必须为逻辑高电平、且不得如数据表中所述上拉至 DVDD。 nSLEEP 可由外部 MCU 控制或通过 1 至 10kΩ 电阻器连接到 VCC。
OCPM 逻辑高电平或低电平取决于您在应用中希望 OCP 响应的方式。 请参阅数据表第 29 页的下方内容。
DRV8262VEVM 的完整原理图和 Altium 源文件可以从 EVM 网页 ( https://www.ti.com/tool/DRV8262VEVM) 下载。
关于我的硬件设置：
我 使用快速衰减模式、TOFF 时间为 7µs。
[/报价]我假设您的意思是混合衰减、快 30%。 使用 混合衰减和快速 TOFF 设置的原因是什么？ 对于有刷直流电机、建议采用慢速衰减、并 使用 16 或 25 μs 来更大限度地降低开关损耗。 当然、如果您的应用需要使用快速衰减和快速 TOFF、除了器件将具有更高的开关损耗和以热量形式耗散外、不会出现任何问题。
2.我在 VM 电源输入端放置了一个 100µF 电容器。
该大容量电容器的值将取决于峰值负载电流和重复率以及电源特性。 本 应用手册 可提供用于此目的的良好参考。 如果您的电源调节和储能电容器适用于此应用、100 μ F 可能没问题。
尽管如此、我还是在激励期间看到了锯齿电流波形。 您能建议如何解决此问题吗？
典型的有刷电机和螺线管是串联的 L 和 R。 根据其时间常数 L/R、电流波形预计会出现锯齿、显示 tON 斜升、tOFF 快速斜降和 tOFF 慢速斜降。 可能使用混合衰减可能会快速将电流减至较低的负载值。 在这种情况下、慢速衰减将改善电流波形。 仍然具有锯齿、显示 tON 斜升和 tOFF 斜降。
您能否分享放大和缩小的 IN1、IN2、有源 OUTx 和电流波形以供审核？ 请参阅下面的数据表中显示的示例捕获。 您的负载的 R 和 L 值是多少、是否可以分享数据表？
此致、Murugavel
