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[参考译文] DRV8162：DRV8162LDGSR 设计查询

admin
Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, DRV8162

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1605956/drv8162-drv8162ldgsr-design-queries

器件型号： DRV8162
主题中讨论的其他器件： CSD18543Q3A、

您好、

请参阅 DRV8162LDGSR 规格、请参阅以下查询。

根据设计要求、输入为  5V 1.2KHz PWM、 唯一用于驱动 HS 和 LS 的信号、并且在故障期间没有其他 GPIO 可用于清除锁存条件。  

  1. 该器件是否可用于驱动高侧负载？  
  2. 在电阻器连接到 VDSLVL 引脚的情况下、它是否对 HS 和 LS FET 使用相同的 VDS 阈值？ 如果将不同的 MOSFET 用于 HS 和 LS、哪一个应视为 OCP VDS 监控的关键？
  3. 使用 IDRIVE1 和 IDRIVE2 引脚电阻器、相同的栅极驱动电流适用于 HS 和 LS MOSFET？
  4. 如何管理压摆率？
  5. 如果 nDRVOFF 引脚连接到 5V 电源、是否会影响其运行？
  6. GVDD 和 GVDD_LS 可以一起连接到 5V 吗？ 它是否支持 5V (+/–2%) 电压、这是我们应用中的 LDO 输出、因为 GVDD、GVDD_LS 的工作最小值为 5V？  
  7. 请指导我们执行闩锁复位策略。
  8. 如果在 1 引脚 PWM 模式下 INL/EN 连接到 5V、故障清除机制将如何工作？  锁存故障恢复当> tCLRFLT 时、INH (IN)=低电平且 INL (EN)=低电平（参考 — 表 7-7)

此致、

Prachi

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 Prachi、

    1. 是、请参阅图 7-3。
    2. 是、HS 和 LS 使用相同的 VDS LVL。  如果配置了独立的 PWM 模式、则 DRV816x 的低侧 VDS 监控不可用。
    3. 是、对 HS 和 LS 应用相同的 Idirve。 基于 DS 中的捆 7-4
    4. 压摆率根据所选的 Idirve 设置进行调整 (Trise/fall = QGD/Isource/sink)
    5. nDrvoff 连接到%v 意味着您无法使用 nDRVOFF 引脚关断栅极驱动器。 如果不需要、则没有问题。
    6. GVDD UV 阈值决定器件是否会引发 UV 故障。   因此、如果 GVDD 高于该值、这不应该是问题。 此外、我假设 5V gvdd 足以完全增强应用中使用的 MOSFET。
    7. 您可以通过以下方法恢复 VDS 的锁存故障： INH (IN)=低电平且 INL (EN)=低电平持续>tCLRFLT
    8. 我建议将 INH、INL 连接到 MCU GPIO 以清除故障。 或者、如果使用独立负载、则禁用 VDS OCP。

    此致、
    Akshay

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Akshay：  

    感谢您的反馈。

    图 7-3 展示了独立 PWM 模式、HS 和 LS 之间连接了负载。  我们的应用 需要在半桥端子 (SH) 和电池 (Vbatt 或 VDRAIN) 之间连接电感负载、如下图所示、通过单个 PWM 输入控制 HS 和 LS FET、并通过 HS FET 进行电流再循环。 请检查以下配置。

    •INH/IN 至 1.2kHz PWM

    •INL/EN 至 5V

    •1 引脚 PWM 模式

    •负载 (120mH 或 10mH) 如下所示、负载电流为 6A

    •占空比：0、5%–95%、100%

    请确认此配置在所有集成保护（主要是 OCP 至 VDS 监控可用）的情况下是否有效。  

    为了恢复锁存条件、我们没有来自 MCU 的 INH 和 INL 两个独立信号。 如前所述、只有 1.2kHz PWM 输入可以连接到 INH；INL/EN 可以连接到 5V、将其配置为 1 引脚 PWM 模式。

    因此、请指导我们如何恢复此处的锁存条件。  仅以 50%直流 (~400us) 将 INH/IN 引脚驱动至低电平是否有助于复位锁存器？

    或者、您是否建议在 INH 和 INL 同步的 2 引脚 PWM 模式下仅实现负载的高电平和低电平状态、从而禁用 Hi-Z 状态

    此外、您是否建议在 HS 和 LS FET 上使用外部二极管在我们的应用中进行电流再循环？  

    此致、

    Prachi

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 Prachi、

    此应用中的负载是多少？

    明白。 如果触发了 VDS OCP 并且您无法将 INH 和 INL 拉至低电平、则将无法清除故障。  
    50%DC 不低于逻辑低电平阈值。

    还是建议使用 INH 和 INL 同步的 2 引脚 PWM 模式、以便仅实现负载的高电平和低电平状态、从而禁用 Hi-Z 状态

    您能 详细解释一下如何实现这个目标吗？ 以及如何清除 VDS OCP？

    此外、您是否建议在 HS 和 LS FET 之间使用外部二极管在我们的应用中进行电流再循环？  [/报价]

    此应用中的负载是多少？

    此致、

    Akshay

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Akshay：

    负载为 10mH 或 120mH、电流为 6A rms。

    我们正在探讨是否可以在我们具有单个 1.2kHz PWM 输入的应用中使用 DRV8162L 灵活的 PWM 控制功能。 如果您对此有任何反馈、请分享。  

    该器件是否会 在电池电压可降至 3.2V 的冷启动条件下工作？

    由于栅极电压 (GVDD_LS) 为 5V、可以为 LS 使用功率 MOS、还是需要考虑逻辑 FET？  如果 RDSon 不等的不同 FET 用于 HS 和 LS、在 1 引脚或 2 引脚 PWM 控制中、应将哪一个 FET 视为 OCP VDS 监控关键？

    谢谢。

    Prachi

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 Prachi、

    如何在 2x Mdoe 中同步单个 PWM？ 如果您使用逆变器来翻转 INHx、那么您是否能够在需要清除故障时关闭逆变器的基准？
    您的应用中使用的是什么 MCU？

    另外、对于 5V GVDD、您需要确保可通过该电压充分增强 FET。 如果您想共享 MOSFET DS、请执行以下操作：

    此致、

    Akshay

  • 0
    TI__Guru**** 2813875 points
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    尊敬的 Akshay：

    我们没有板载 MCU；PWM 是在外部生成以驱动负载。  

    MOSFET 作为基准 — CSD18543Q3A

    请解决待处理的问题：

    •如果 RDSon 不等的不同 FET 用于 HS 和 LS、应将哪一个 FET 视为 OCP VDS 监控关键？

    •您为我们的应用推荐哪种灵活的 PWM 模式（1 引脚或 2 引脚）？  

    •该器件是否会 在电池电压可降至 3.2V 的冷启动条件下工作？

    •您是否建议在 HS 和 LS FET 上使用外部二极管在我们的应用中进行电流再循环？

    •建议在只有 1.2kHz PWM 可用的情况下复位锁存器件

    此外、您能否分享 DRV8162/DRV8162L 的 PSpice 仿真模型？

    此致、

    Prachi

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    嘿 Prachi、

    您链接的 FET 将不会通过 5V GVDD 得到充分增强、因此 RDS ON 会更高。

    对于 VDS、要触发的第一个阈值将是超过 VDSLVL 阈值的阈值（假设 GATE 是一个开关）。

    因此、较高的 Rdson 将更快触发 (V = I*R)。

    为了休息 VDS 故障（除非禁用了 VDS 故障）、您需要将 INH 和 INL 拉至低电平或执行 GVDD 下电上电。

    在 1x 模式下 、如果您使用逆变器来翻转 INHx、那么您是否能够在需要清除故障时关闭逆变器的基准？

    [报价 userid=“401861" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1605956/drv8162-drv8162ldgsr-design-queries/6196742

    该器件是否会 在电池电压可降至 3.2V 的冷启动条件下工作？

    •您是否建议在 HS 和 LS FET 上使用外部二极管在我们的应用中进行电流再循环？

    [/报价]

    让我与团队核实一下。

    我们没有适用于该驱动器的 PSpice 仿真模型。

    此致、

    Akshay

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    TI__Guru**** 2813875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 Prachi、

    该器件不用于此类低漏极电压运行、因此涓流电荷泵将不会在 3.2V 电压下工作。

    至于外部二极管、我认为从我所见、这些二极管是不需要的。 我想了解为什么在此应用中不能使用漏极和 SHx 之间的 didoe 来代替 HS FET。

    此致、
    Akshay