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[参考译文] DRV8145-Q1:DRV8145-Q1 — 过流保护

Guru**** 2754255 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV8145-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1611482/drv8145-q1-drv8145-q1---over-current-protection

器件型号: DRV8145-Q1

 

你(们)好

我们在全桥配置中使用了两个 DRV8145-Q1。

在我们的测试期间、一个 DRV8145-Q1 由于 OUT 和 GND 之间的短路而损坏。

DRV8145-Q1 是否应该承受这种情况? 是否应激活过流保护?

BR

Gilberto

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    尊敬的 Gilberto:

    OCP 保护功能应在存在短路的情况下禁用 FET、尽管如果短路电感小于 1uH 且 VM > 28V、则 OCP 将无法保护器件。

    能否提供有关测试条件的更多信息、例如:

    1. DRV8145-Q1 在输入损坏时的位置是什么
    2. DRV8145-Q1 的 VM 电压是多少
    3. 是否存在负载、如果存在、则负载是多少

    此外、哪些引脚已损坏、如果您恰好有任何捕获、它们会有所帮助、但此时无需损坏另一个器件即可捕获。

    此致、

    Joshua

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    嗨、Joshua

    回答您的问题:

    1) IN 引脚为 0VCC 且 20kHz PWM @90%。   我无法确定发生故障时两个器件中的哪一个接收到 PWM 信号。

    2) VM 电压为 12V;

    3) 负载已连接。 它是一种小型直流电机;

    我附上了损坏设备的照片。 它开始消耗过多电流和过热。

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    嗨、Joshua

    我有一些新信息:


    1) 另一个原型再次出现问题。 这次损坏的 IC 位于桥的另一侧。

    2) 很明显,故障不是由于短路造成的。

    3) 设备运行完美。 IC 在通过 IC 将新软件版本下载到微处理器时发生故障;

    4) 此时 SPI 通信处于活动状态。

    故障可能是由于 SPI 通信不完整而导致的? 也许 CS 始终处于较低的水平?

    请提供建议

    Gilberto

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    尊敬的 Gilberto:  

    1. 在损坏的器件上、是否可以测量每个引脚到 GND 的阻抗、以便缩小损坏的器件部分?
    2. MCU 可以输出的最大电压是多少?
    3. 您能否提供该电路板上 DRV8145 的原理图?
    4. 重新编程时是否驱动了电机?
    故障是否是由于 SPI 通信不完整造成的? 也许 CS 总是处于较低的水平?

    通常、如果未出现 16 个时钟周期、器件将忽略帧写入命令、这样可以防止接受错误的 SPI 命令。 在大多数损坏器件的情况下、超出了引脚的绝对最大值、从而导致器件损坏。

    此致、

    Joshua

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    Joshua

    1) OUT 引脚短接至 GND。 其他似乎是正确的。

    2) 3.3V(最大值)

    3) 我可以通过私人消息向您发送原理图吗?

    我认为问题可能是由于在将固件写入闪存时两个驱动程序都被禁用而引起的。 如果电机正在运行、电机端子上的电压将显著上升、因为在驱动器被禁用 (DRVOFF=1) 时没有电流再循环。

    BR

    Gilberto

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    尊敬的 Gilberto:

    如果您不能通过 E2E 向我发送私人消息、可以通过电子邮件将其发送给我。

    我认为问题可能是由于将固件写入闪存时两个驱动程序都被禁用而引起的。 如果电机正在运行、则电机端子上的电压将显著上升、因为当驱动器被禁用 (DRVOFF=1) 时没有电流再循环。

    这可能是 损坏的原因、因为流经体二极管的能量可能会导致产生过多热量、从而损坏 FET 并将其短接至 GND。 这很可能导致损坏、尤其是在电机 在正常运行时已经接近 150C 限值时。  

    此致、

    Joshua

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    嗨、Joshua

    我向您发送了文件。 我们在无负载的情况下运行电机。 电流就是 500mA。 温度不是问题。

    BR

    Gilberto

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    尊敬的 Gilberto:

    我查看了原理图、并查看了您提供的电路板截图中的布局、这些看起来可以接受、尽管大容量电容对于 20A 电流似乎有点小、但我假设原理图的另一部分上有更多的大容量电容。

    我认为此时需要捕获、以帮助确认造成损害的原因。 能否在发生损坏时提供 VM、OUT、VCP 和负载电流的捕获?

    此致、

    Joshua

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    Joshua

    该问题似乎已经通过安装电容器 C31 (100nF) 得到了解决。 当 U11 和 U12 停用时、电容器似乎足以吸收电机中存储的能量。 我们将执行更多测试。
    关于电容不足:您认为我们应该在新版本中添加更多内容吗?

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    尊敬的 Gilberto:

    我很高兴添加了上限、能够解决该问题!

    至于额外的电容、这将有助于更大限度地减少 VM 电源上的电压纹波、因此如果此时这不是问题 、即在运行期间没有观察到 VM 的骤降或尖峰、则不 需要更大的大容量电容。 一般经验法则是、对于大容量电容、每瓦 1uF 到 4uF 、但为了根据您的系统需求提供更好的指导、我建议查看本文档:确定适用于直流电机驱动应用的大容量电容器的大小。

    此致、

    Joshua

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    你(们)好

    我很遗憾地通知您、即使安装了电容器、我们也遇到了另一个故障:
    驱动电机时 IC 再次损坏、电源已关闭。
    当 CPU 进入复位状态时、桥的两侧都将关闭。 此时 IC 已损坏。 OUT 引脚短接 VM 和 GND。

    BR

    Gilberto

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    你(们)好

    我很遗憾地通知您、即使安装了电容器、我们也遇到了另一个故障:
    驱动电机时 IC 再次损坏、电源已关闭。
    当 CPU 进入复位状态时、桥的两侧都将关闭。 此时 IC 已损坏。 OUT 引脚短接 VM 和 GND。

    BR

    Gilberto

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    尊敬的 Gilberto:

    能否提供以下捕获:

    1.  发生损坏时的 VM、OUT、VCP 和负载电流捕获
    2. 当 CPU 复位/编程时 nSLEEP 和 DRVOFF MCU 信号的捕获。 这不一定是当器件损坏时、只是一般捕获可以。

    此致、

    Joshua

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    Joshua

    您能否给出一个数字来表示  MOSFET 体二极管可支持的最大电流?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Gilberto:  

    这些 MOSFET 的体二极管旨在支持与 MOSFET 可以驱动的相同电流(它们逐芯片面积相当大)、不过、它们具有更大的电阻、因此在超过 150°C 之前、它们无法在与 MOSFET 相同的时间内支持相同的电流水平。

    此致、

    Joshua