Other Parts Discussed in Thread: DRV8300
器件型号: DRV8300DIPW-EVM
主题: DRV8300 中讨论的其他器件
TI 团队大家好、
根据您关于将每个开关和 DRV8300 并联 3 个 MOSFET 的确认信息。
下一步、我们将最终确定该功率级的 PCB 设计。 我们希望确保我们的布局符合 TI 推荐的驱动并联 MOSFET 的最佳实践(栅极布线对称性,环路电感最小化,热平衡和电流共享)。
请提供以下建议:
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TI 是否支持对使用 DRV8300 的设计进行 Gerber 或 PCB 布局审核?
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如果是、建议使用什么流程来共享 Gerber 文件或布局屏幕截图以供审核?
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如果无法进行完整的 Gerber 评估、您可以建议:
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具有并联 MOSFET 的 DRV8300 特有的关键布局检查点
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我们的目标是在制造前验证栅极驱动布线、电源环路寄生效应和热对称性、以避免开关不平衡或过应力。
期待您的指导。
此致、
Thumula Bhargav


