[参考译文] DRV7308：芯片上热性能所需的信息

尊敬的 Hamzeh：

感谢您的提问！

1.热温度传感器的位置如下所示、因此它不直接监测 GaN 温度。 在热仿真期间、我们看到 VTEMP 传感器的放置位置与 B 相高侧 FET（该 FET 是该特定仿真的电路板上最热点）之间存在 10°C 的温差。 该温差可能会有所不同、具体取决于应用中器件上哪个点最热（受布局影响）。 如果是低侧 FET、则意味着热源更接近温度传感器、因此很可能不会出现 10°C 的差异。  

2.数据表的 θ JA 基于 JEDEC 标准 PCB、不同布局下的实际热性能有所不同。 EVM 可能接近此值、但我们没有为 EVM 获取确切的 θ JA。 DRV7308 热计算器有一个图形显示 PCB 面积、层数和铜厚度对 θ JA 的影响

此致、

Anthony Lodi

谢谢 Anthony、非常感谢。