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器件型号： LMG2652
尊敬的团队：
关于 GaN FET、我有两个问题需要您帮助解决：
在规格中、我没有看到任何关于 GaN FET 有内部续流二极管的说明。 我只看到 DS 6.1 中的说明、“GaN FET 未在每个配置（升压中的高侧和降压中的低侧）中测量、用作双脉冲测试仪二极管、并在关断状态第三象限导通模式下实现电感器电流循环。 表 6-1 显示了每种配置的详细信息。 “我不太明白这句话的意思。
GaN 是否在第三象限中设置为续流二极管？ 或者高侧和低侧 GaN 是否都在漏极和源极之间添加了内部二极管？
2.规范说明在 ENINLINH 和 AUX 之间内部添加了单向 ESD 二极管。 这是否可以理解为这三个引脚具有强大的抗干扰能力、即使低压接地和高压接地有一些重叠层、甚至参考 PGND、仍足以确保芯片的安全？ 在参考板上、可以看到 L3 的 PGND 和 L4 的低压接地有重叠的层、其中一些信号线部分参考 PGND。
