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器件型号： DRV8718-Q1
尊敬的团队：
我的客户测试了 VGS 波形、说米勒区域不是平坦的、Idrv 越高、情况就越糟、他们想知道这是否会导致任何问题。
在 H 桥的 H 桥、3 Ω 电阻器负载的 H 桥侧 MOS 上捕获的该波形。 但在 Vs 上有注射。这是正常和安全的吗？ 就会发现明显的过冲或 EMI 问题。
器件型号： DRV8718-Q1
尊敬的团队：
我的客户测试了 VGS 波形、说米勒区域不是平坦的、Idrv 越高、情况就越糟、他们想知道这是否会导致任何问题。
在 H 桥的 H 桥、3 Ω 电阻器负载的 H 桥侧 MOS 上捕获的该波形。 但在 Vs 上有注射。这是正常和安全的吗？ 就会发现明显的过冲或 EMI 问题。
您好、Peter
能否分享您的客户名称和应用用例？ 如果无法在公共 E2E 上共享、您可以发布到内部 E2E 吗？
我认为这不是由 DRV871xQ1 引起的。 可能会耦合 CGD。 我看到你的客户的 trise 是非常快 (~100nS ),可能有耦合。 从 SH 到栅极。
如果您还有其他问题、我想了解客户的应用信息和原理图。 请关闭此公开帖子、请重新发布到内部 E2E。
此致
Shinya
