Other Parts Discussed in Thread: DRV8343-Q1, DRV8343S-Q1EVM
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器件型号： DRV8343-Q1
主题： DRV8343S-Q1EVM 中讨论的其他器件
尊敬的团队：
我计划使用 DRV8343-Q1 栅极驱动器 IC 来驱动开关磁阻电机 (SRM)、我想确认这种方法在技术上是否可行。
如您所知、DRV8343-Q1 旨在驱动一个三相半桥拓扑（即总共 6 个 MOSFET）。 但是、在 SRM 应用中、通常使用三相非对称半桥拓扑、此拓扑由 6 个 MOSFET 和 6 个续流二极管组成。
在我的预期设计中：
- DRV8343-Q1 将仅用于驱动 MOSFET
- 我们将添加外部续流二极管以构成非对称半桥拓扑
我的项目主要规格:
- 宽输入电压范围：6–52V 直流
- 相电流：60 A (RMS)
在下面、您可以看到三相非对称半桥拓扑的原理图。 在该图中、仅显示一个相位；其他相位将相同。 J7 和 J4 表示一个电机相位的绕组端子。 Q2 和 Q3 MOSFET 将用作体二极管。
但是、我担心高侧驱动器的自举操作：
由于高侧 MOSFET 依赖于自举电容器、因此只有在相应的低侧 MOSFET 被激活后才能导通（用于为自举电容器充电）。 在 SRM 控制中、存在一些工作条件、即同相的高侧和低侧 MOSFET 可能需要同时导通或以非常接近的时序导通。
我的问题是：
- 在这种拓扑中、是否可以使用自举方法可靠地驱动高侧 MOSFET？
- 在 SRM 运行期间、要求激活低侧 MOSFET 是否会首先导致任何问题、尤其是在需要同时导通的情况下？
- DRV8343-Q1 通常是否适用于驱动三相非对称半桥 SRM 拓扑？
此外、我在 TI E2E 论坛上看到了关于 DRV8343S-Q1EVM 的讨论、其中提到该评估板可在对 SRM 应用进行一些硬件修改（例如添加续流二极管，移除保险丝以及修改一些栅极驱动器连接）的情况下进行调整。
- 考虑到这些修改、是否可以建议将 DRV8343S-Q1EVM（或 DRV8343-Q1 本身）作为驱动 SRM 的解决方案？
对于此用例的任何澄清或设计建议、我将不胜感激。
此致、
