[参考译文] DRV8353F：电桥 MOSFET VDS 波形显示高频振铃、VGS 波形在空载条件下也表现出高频干扰。

您好：

使用的 IDRIVE 设置是什么？ 请尝试降低 IDRIVE 设置、然后重新测试以查看行为是否仍然存在。

谢谢、

Joseph

您好 Joseph、

我们测试的是不同的  IDRIVE  设置：

• 用例 1：  350mA 灌电流  
• 用例 2：  拉电流= 700mA、灌电流= 1100mA
• 情形 3：  拉电流= 1A、灌电流= 2A

但是、我们观察了  结果相同  动态范围。

我们还测试了不同的  击穿风险  高达  3µs 但也有  没有改进 。

此外、我们配置了  双向电流检测放大器  振铃。 我们还检查了  SOA 引脚  以确定它是否持续复位输出。

您能告诉我要设置的最小建议值、以便我验证结果吗？

在上图中、当  高侧 MOSFET 导通 、我们观察上的电压  底部 MOSFET 的栅极  同时（红圈）。 观察到的电压约为  2V 。 因为 MOSFET 阈值电压约为  2V 、低侧 MOSFET 可能意外导通、这可能导致  击穿  添加寄生电容。  

你能建议 我怎么能爱这个问题 ?

您好：

栅极驱动电流似乎仍然很高、或者可能这些栅极信号线路上存在很大的电感

以下是一些建议：

1.将 IDRIVE 减小至~Ω 150mA / 300mA、或添加栅极电阻器。

2.实施 RC 缓冲电路以减少振铃

3.评估 PCB 上 GHx、GLx、SHx、SLx 信号的布线宽度和长度。

谢谢、

Joseph