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[参考译文] DRV8305：与高侧相比、低侧开关 MOSFET 的热明显更高

admin
Guru**** 2893300 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV8305

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1642219/drv8305-low-side-switches-mosfets-are-significantly-more-hot-compare-to-high-side

器件型号： DRV8305

您好专家

我使用 DRV8305 来驱动 BLDC 电机。 这是 MOSFET 的原理图。 与高侧相比、低侧开关 MOSFET 的热要高得多。 I 测得的 GLx 上升时间为 880ns、下降时间为 880ns、GHx 的上升时间为 100ns、下降时间为 42ns。 I 将 IDRIVEN 和 IDRIVEP 更改为 iDRIVE_LS SINK=0.75A、surce=0.5A。 然后、我测量了 GLx 的上升时间 140ns 和下降时间 92ns。 但与高侧相比、低侧仍然明显更热。 你有什么建议吗？

此致 Hussain Khodadadi

MOSFET bridg.png

 

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    TI__Guru**** 2893300 points
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    您好：

    FET 导通的时间应该是主要的热源。 如果高侧和低侧 FET 上升/下降时间保持不变、它们应该具有相似的热分布。 您能否以 50%的占空比运行、看看是否仍然观察到低侧 FET 升温？

    谢谢、

    Joseph

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    TI__Guru**** 2893300 points
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    低侧以 100%占空比工作。 PWM 处于高侧。 这是奇怪的,低侧加热更多。

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    TI__Guru**** 2893300 points
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    您好：

    这是否意味着您一直在传导 FET 低侧？ 这可以解释为什么它们更热。

    因为它们一直在运行、这意味着恒定的传导/电流会导致发热。

    谢谢、

    Joseph

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    TI__Guru**** 2893300 points
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    您好：

    我在低侧 MOSFET 中施加了 PWM、高侧以 100%占空比工作。 真有意思。 现在、高压侧加热更多。 您推荐什么？ 我是否应该对高侧和低侧都应用 PWM？ 或者一侧会在一段时间内以 100%占空比工作、然后在其他时刻降低占空比？

    此致 Hussain Khodadadi

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    您好：

    是、将 PWM 应用于高侧和低侧。 它们应按照您使用的换向顺序交替相位。 有一个相位 PWM 高侧、一个相位 PWM 低侧和一个相位高阻态。

    谢谢、

    Joseph