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[参考译文] DRV8706S-Q1EVM：是否需要在 MOSFET 的栅极和漏极之间设置电阻器、电容或 R_PULL_DOWN？

admin
Guru**** 2928980 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1649607/drv8706s-q1evm-did-i-need-set-resistor-capacitance-or-r_pull_down-between-gate-and-drain-between-mosfet

器件型号： DRV8706S-Q1EVM

大家好

 

我倾向于在该设计中使用 DRV8706S、您能否提供足够的帮助来解决以下问题：

 

(1) 是否需要在 MOSFET 之间的栅极和漏极之间设置电阻器、电容或 R_PULL_DOWN？

(2) 在 EVM 的电路图中、MOSFET 栅极和漏极之间的电阻器和电容的函数是什么？

DRV8706S.png

此致

庄弘毅

  • 0
    TI__Guru**** 2928980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    感谢您的提问。  

    栅漏极上的电容和电阻器是可选的、仅支持备份封装。 无需添加。  

    通常情况下、DRV 的可编程 IDRIVE 足以控制栅极 tr 和 tf 的压摆率、如果有人想要测试它、添加 R/C 是可选的。

    此致

    Shinya