Other Parts Discussed in Thread: CSD19532Q5B, DRV8353
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器件型号： DRV8353
主题中讨论的其他器件： CSD19532Q5B、
我正在为我的项目开发基本的电机控制系统。 驱动程序如下所示：
- 栅极 ×器：DRV8353RS（SPI 型号、集成式 3m Ω 低侧电流分流放大器）、6× PWM 模式、VDS_OCP =锁存关断、VDS 电平≈1.5V 至 1.7V
- 功率 MOSFET： CSD19532Q5B (100V NexFET) 三相低侧分流检测功能。
问题: 在开始时,代码完全可以执行,不是完美的,但只需要一些进一步的改进。 电机运行一段时间后、驱动器报告 模块过流 且 nFAULT LED 置位。 通过 SPI、DRV8353 状态寄存器读取状态 Reg00 = 0x608 = FAULT + VDS_OCP + VDS_HB、即 其中一个高侧 MOSFET 上的 VDS 过流。 我使用万用表检查是否存在任何短路或开漏电阻器或 MOSFET、但一切看起来都很好。 与另一个 MOSFET 相比、在触发电机过流故障/驱动器 nFault LED 的情况下触摸其中一个 MOSFET 时会出现轻微的刺痛热感觉。
我尝试了相同的固件/配置、以便在采用相同设计的不同电路板上正确运行电机、因此问题似乎特定于该电路板的硬件。
我怀疑驱动程序 IC 有问题、因此我更换了一个正常工作的驱动程序、但最终得到了相同的结果、更明显。 更糟糕的是、当收到旋转命令时、直流母线电压下降并且电源切断（电源崩溃）、需要进行下电上电。
问题：
- 即使没有短路或漏极开路、MOSFET 也可能变得更弱、从而无法为相应的电机相位提供足够的功率吗？
- 是否可能是驱动器侧的问题、而是 MCU 侧的问题？
