Other Parts Discussed in Thread: DRV8706-Q1
器件型号： DRV8706-Q1
您好、
关闭栅极驱动器后手动制造故障时、似乎没有报告 VDS 故障。
我想知道栅极驱动器关闭时 VDS 故障检测是否未打开。 手册中提到了 VGS 故障检测在 Idrive 期间执行、但没有描述 VDS 故障检测的有效时间。我还想确保当栅极驱动器关闭时也不会触发 VGS 故障检测。
谢谢！
你（们）好
[引述 userid=“696276“ url=“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1665762/drv8706-q1-vds-fault-detection-is-not-working-when-gate-driver-is-closed/6423015我仍然不确定在栅极驱动器导通后何时执行 VDS 故障检测。
您的响应中提到 VDS 故障检测是“在有源开关期间“执行的。 我想确定它的含义。
[/报价]VDS 故障检测意味着器件正在检查过流情况。 VDS = Rdson * I。当 FET 导通时、电流流经 FET、如果漏极源极两端的电压超过阈值、该器件将触发 OCP 并禁用 FET
当我关断 H 桥的一个 MOS 晶体管并将 H 桥置于所有四个 MOS 晶体管均关断的状态时、栅极驱动器仍处于导通状态。 我想知道在这种情况下、如果反电动势导致电压较大、是否会报告 VDS 故障（下部 MOS 晶体管的漏极和源极）？
您认为栅极驱动器仍处于开启状态是什么意思？ VDS 路径通过外部 FET、器件仅测量每个 FET 漏极/源极两端的电压。 请查看下面的方框图、其中显示了器件内部的比较器将如何测量 VGS 和 VDS。
关于大 BEMF、当 FET 关断时、体二极管应处理它。 您需要确保不会超过器件的绝对最大值。
另外、是否在“有源切换期间“中计算死区时间？ 这是否意味着我还需要调整 VDS 滤波时间以覆盖死区时间、从而避免这种可能的 VDS 误诊？
死区时间是外部高侧和低侧 MOSFET 开关之间体二极管导通的一段时间、旨在防止发生任何跨导或击穿。
VDS - DG 对死区时间没有影响。 如果 VDS 过流比较器上的电压超过 VDS_LVL 的时间超过 TDS_DG 时间、则 DRV8706-Q1 会检测到 VDS 过流条件。 因此、抗尖峰脉冲用于防止任何不在死区时间内的错误 OCP 警报。
DRV8706-Q1 使用 VGS 监控器来实现断路、然后通过测量外部 MOSFET VGS 电压来确定正确启用外部 MOSFET 的时间、从而制定死区时间方案。 该方案使栅极驱动器能够针对系统变化（例如温度漂移，老化，电压波动和外部 MOSFET 参数变化）来调整死区时间。 如有需要、可插入一个额外的固定数字死区时间 (tDEAD_D)、并可通过 SPI 寄存器对其进行调整。
有关时序的详细信息、请查看下图。
此致
Mojtaba.
