[参考译文] DRV8306：是否有计算给定电流的 RSEN 的公式？

大卫，你好。

RSENSE 用于分流过流保护，而不是通过 MOSFET 实现。 它固定在1.8V 阈值，可通过1.8V 除以 I_OC (应用的过电流阈值)计算。  

谢谢，
亚伦

大卫，你好。

有关 IDRIVE 值，请参阅此 E2E 常见问题解答： https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/796378/faq-selecting-the-best-idrive-setting-and-why-this-is-essential

我建议在初始评估期间使用小型 IDRIVE 设置，以防止损坏 DRV 设备或 FET。

对于 VDS 电平，我建议设置一个高于 应用中最大电动机峰值电流，但 低于  MOSFET 的 ID 连续漏电流额定值的过电流阈值，以免损坏它们。  

谢谢，
亚伦

是的，请查看数据表中的8.2.1.2.部分。  

VDS 过电流保护应设置为由电机电流触发的 VVDS_OCP 级别。 通过 MOSFET (I_DS)的电流乘以 MOSFET 的 RDS(ON)计算。 这将是 MOSFET 的 VDS 电压。  

例如，如果过电流阈值为90A，而 FET 的 RDS(on)为10mohm，则90*0.01 = 0.9V。 将具有75k 电阻器的 VDS 引脚设置为 DVDD，以将 VDS 过电流阈值设置为0.9V。

谢谢，
亚伦

大卫，你好。

打破您的回复，使回复更容易。  

在电动机运行测试期间 ，我注意到当我将电机转速(PWM)降低到控制器芯片时，24V 电源线路上的电压峰值为40V。 我认为这是导致+5V 稳压器发生故障的原因。 当我提高速度时，只有当我降低速度时，才会出现这种情况？

A. 我认为这是由电机控制芯片在看到 PWM 降低时试图降低电机速度造成的。

当电动机改变能量(加速/减速)，制动，启动等)时，需要更高的电流，电流应通过电源和本地散装电容和旁路电容来支持。 减速时，电机电流需要存储在某个位置，以便电源不会泵出或电压峰值。 如果使用定制板，请确保有足够的电源大容量电容(VM-GND，100的 UF 电容)和/或旁路电容(VM-GND，1uF 或更高)来帮助降低电流，从而使电流被推回电源。  

这些资源有助于进一步了解：
https://training.ti.com/ti-precision-labs-motor-drivers-voltage-margin-and-bulk-capacitance
https://www.ti.com/lit/pdf/slvaf66

B. 有没有办法让马达芯片更不激进？

如果快速减速或制动导致电源出现电压峰值，请考虑减速。 如果不是，增加散装电容和旁路电容应该有所帮助，因为这只是电动机的物理和规格，而不是芯片，从而导致电压峰值。  

C. 如何将33V 电视置于相位驱动器晶体管的+24V 馈电上？ (例如 SMA33A，33V，400W，非定向，SMA)？

电视二极管可以帮助管理能源，但这可能比增加电容器成本更高。  

谢谢，
亚伦

大卫，你好。

以下是对以下内容的评论：

我注意到 ，如果电机在运动过程中停止运转，我有时会在驱动 晶体管上发现门短路？  

如果电机在运动过程中停止运转，设备应检测到 VDS 或 VGS 故障，以在损坏发生前保护 DRV8306和 FET。

为了保护 VGS，FET 需要在 TDRIVE 周期结束时“打开”或“关闭”。 在 DRV8306中，如果 VGS>2V，FET 被视为“打开”；如果 VGS<2V，FET 被视为“关闭”；如果 TDRIVE = 4000ns，则被视为“关闭”。 如果栅极电压一直处于高位或低位，默认情况下4000 ns 的保护期可能太长，无法启动，因此需要监控 VGS 波形(GHZ，SHX，GLX)  对于浇口过渡期间的每个半桥 ，最好查看 FET 是否正确打开/关闭。  

如前所述，如果短路是由直射或潜在 FET 损坏引起的，请确保 VDS 过流或 VSEN 过流可以保护 DRV 免受过流情况的影响。  

最大 VGS (16伏)！  如果 VCP I0V，为什么要 对 浇口 VMAX 执行 EXCEDING？   

如果 VGS > 16V，那么实际上您很可能损坏高压侧浇口上的齐纳二极管，因为该二极管的额定电压仅为最大15V 请在门控驾驶员操作过程中监控 VCP。 VCP 应该比 VM 高10-12V，但如果过度操作，VCP 将泵送达 VM+16V，则这可能是由于 VCP-VM 电容器不靠近设备或栅极驱动输出处的寄生电容太多。 这两种情况都导致栅极驱动器吸收电流不足，无法在 MOSFET 栅极处释放电荷，从而导致随着时间的推移，VCP 或 VGLS 电压积聚。  

我该怎么做？  我是否必须在所有 FET (从门到源)上添加一台电视或齐纳？

您可以添加1000-100k 的外部栅极到源下拉电阻(RGS)，以帮助吸收更多栅极电流，使用更高的 VCP-VM 额定电压电容器(25V 而不是16V 额定电压)，研究/编辑栅极驱动器或 MOSFET 布局，或者从栅极到源极添加 TV 或齐纳二极管。  

同时，确保在 SHX 上切换 MOSFET 时不会发生 VDS 振铃。  

谢谢，
亚伦

大卫，你好。

很高兴听到你离得很近！

“我注意到，当我过载电机时，输出错误，失速电流小于1安培。 这是由于 Isen (.25V)还是由于转子锁定错误导致的？ 如果我卸下负载，电机将恢复旋转！

加载电机后，电机电流通过电机保护路径(VDS_OCP 和 VSEN_OCP)增加。  

整个 FET 的 VDS (即电机电流时间 RDSon)被测量为可配置的 VDS_OCP 电压(VDS 引脚电阻设置)，如果超过 VDS 的时间超过 OCP 发生故障的时间(tOCP_deg=4.5us)，则会因 VDS_OCP 而跳闸。  

 分流电阻器(即电机电流时间 RSEN)的 VDS 测量到预设的 VSEN_OCP 电压(典型值为1.8V)，如果超过 OCP 故障时间(tOCP_deg=4.5us)，则会因 VSEN_OCP 而跳闸。 因此 ，在 Isen=0.25V 时也是一个周期限制，这意味着分流电阻器应最大为 0.25V/9A = 27mohm。  否则， 如果 DRV8306检测 到 Isen>0.25V (5 us 消隐时间)，它将在低于指令要求的占空比的情况下切断浇口驱动输出(导致快速变化甚至失速)，直到出现下一个 PWM 边缘。  

过电流模式是自动重试，这意味着电机将在4毫秒后检测到过电流事件后重试。  

如果我的 RESN 设置为9安培，那么电机的工作正常是否会达到9安培限制？ 如果超过9安培限值，我应该得到什么样的回应？”

如果 RSEN 设置为27mohm 或更低，则应避免逐周期电流限制和 VSEN_OCP。 如果超过9A，则根据在 Isen 的电压 RSEN *电机电流输出，将确定电机是处于逐周期电流限制模式还是自动重试模式。  

谢谢，
亚伦