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部件号：DRV8705H-Q1EVM “线程”中讨论的其它部件：CSD18512Q5B， 测试
您好，
我有一个评估板，我正在提供20V 电压，我想在该评估板上评估该驱动器的开关损耗。
首先，在空闲状态(驱动器打开，而不是切换)下，我的功耗为0.3 W。当我在每个半桥(独立半桥模式)的每个输入上以50%的占空比注入100 kHz 方波时，总损耗不带任何负载， 这种功耗似乎相当大，如果我比较一下我对这种 MOSFET 的预期，情况就更是如此。 如果我回答正确，开关损耗主要由(全桥)提供
Pgate =2 Qgate*Vsupple*FSW
PSW = QO*VSUPPLY*FSW + Qrr*VSUPPLY*FSW
考虑到评估板(CSD18512Q5B)上使用的 MOSFET，我将损耗计算为0.39 W，这与 我所看到的相差甚远(1.5 W-0.3 W=1.2 W)。 我错过了什么？ 这些公式是否错误？
谢谢，
