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[参考译文] DRV8323:示意图问题

Guru**** 656470 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8323
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1088528/drv8323-schematic-questions

部件号:DRV8323
主题中讨论的其它部件:CSD8.8599万Q5DCTIDA-1.0072万

大家好,我们有几个示意图问题

我们的应用:
DRV8323S,带 CSD8.8599万Q5DC MOSFET
VM = 18-24V
电动机相电流:10 A最大RMS,15 A最大峰值

问题:

-鉴于上述应用,您是否建议在DRV8323的栅极驱动引脚上使用任何串联电阻器? 是否有任何IDRIVE设置可能导致问题?

-如果通过SPI完成校准,则CAL是浮动的还是与GND相连,因为它具有内部100k PD

-我们计划在CSA的SOX引脚上添加LPF。 建议的切断频率是多少?

-鉴于CSA的输出上有LPF,是否需要对CSA差动输入进行过滤? 例如,数据表建议在输入端使用1000 pF (与我们的设计相匹配), 但TIDA-1.0072万参考设计还包括10R系列电阻器。 请提供建议

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Daniel:

    感谢您的提问! 关于您的第一个问题,最好先包含门电阻器 ,以防您需要在2个设置之间微调IDRIVE强度。  由于 您使用的MOSFET Qgd (7nF),我建议使用不高于60mA/120mA源/汇的栅极驱动电流, 如果您使用IDRIVE设置的高值,您可能需要添加一些小值栅极电阻器,以降低栅极电流的速度,避免在切换过程中对栅极和MOSFET源产生过多振铃。 根据您的布局,30mA/60mA IDRIVE设置在没有栅极电阻器的情况下应能正常工作,以获得大约235ns/116ns上升/下降时间的MOSFET转换率。 如果您认为您希望 实现 更快的切换时间, 您可以切换至60mA/120mA IDRIVE设置,但正如我之前提到的,您需要使用门电阻器来帮助降低IDRIVE设置的切换时间,以避免过度振铃而造成损坏。 大多数客户认为200ns/100ns上升/下降时间较快,而栅极和源路径中的印刷电路板电感会导致寄生振铃,在更快的切换速度下可能会出现问题。

    如果通过SPI完成校准,我不会看到CAL引脚浮动的任何问题 ,因为它具有内部下拉功能, 只要没有噪音会耦合到该引脚,导致其高于逻辑低电压。  

    我将详细了解您最后的2个问题,并尝试在 接下来的几天内获得回复。  

    此致,

    Anthony Lodi

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    您好Daniel:

    要回答最后2个问题:

    1.在我们的DRV8323Rx EVM上,我们在CSA输出上使用了R=56欧姆,C=2200pF低通滤波器,以实现约1.3MHz的截止频率。 如果您认为不同的切断频率更适合您的应用,我建议您从该选项开始,然后在验证主板时根据需要调整值。

    2.在CSA输入上添加串联电阻器不是一项要求, 但是,它们可以帮助 创建低通滤波器,并使用电容器来滤 除输入上可能存在的更高频率噪声,尤其是 当存在较高电流时以及电流路径中存在寄生电感时。 我没有看到在许多客户的设计中实施串联电阻器,但在某些情况下,客户会选择这样做。 您的应用程序更像是中电流级设计, 您可以决定在CSA的输入上提供串联电阻足迹,然后使用0欧姆电阻器开始填充,这样您可以返回并添加一个小电阻值,以创建低通滤波器(如果您感到) 在PCB的测试和验证过程中,CSA输入上的振铃是一个问题。  

    此致,

    Anthony Lodi

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    谢谢Anthony,我将在下面逐一介绍

    1) EVM没有这样做是否有原因? 我们正在使用相同的FET,并且具有相似的布局,并且希望避免在开关节点上使用任何不必要的组件,因为它们会增加电感

    2)接地引脚

    3)了解-我们将采取类似的措施

    4)输出上的LPF滤波器是否也能解决此噪音问题? 我们希望避免在主板布局中添加冗余过滤器和占用空间(除非需要)

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    您好Daniel:

    1)添加栅极电阻器实际上是一个设计考虑事项:当涉及MOSFET切换时间与EMI问题时,它提供了一个额外的粒度层。 使用30mA/60mA IDRIVE设置(不带栅极电阻器)应该可以与您正在使用的MOSFET一起正常工作,但您可能会觉得您希望在特定应用中实现更快的MOSFET切换时间,因此您可以决定将IDRIVE设置增加到60mA/120mA。 如果您这样做,您可能会发现使用60mA/120mA设置会导致EMI问题/振铃,这可能是由于切换时间非常短而引起的问题。 为了实现比最低IDRIVE设置更快的切换时间, 但是,为了减少使用60mA/120mA设置所导致的振铃问题,您可能会决定在使用60mA/120mA IDRIVE设置时,使用小门电阻器稍微降低门电流。 虽然我们在EVM中没有包括栅极电阻器,但如果 需要,可以添加一个功能,以便提供更精细的微调,以满足特定的设计要求。  

    4) CSA输出上的LP滤波器将有助于降低噪声,因此您可能会认为使用串联电阻器的输入滤波不会增加足够的值来证明额外的板空间。  但是 ,输入滤波将有助于添加另一层滤波,以在噪音进入(并被CSA放大)之前滤除某些噪音。 我认为没有必要拥有输入系列电阻器,尤其是在布局最佳的情况下,但如果您决定将其包括在内,它可能会更好地改善噪声滤波。  

    此致,

    Anthony Lodi