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我们正在使用TMS320F2.8069万MPZT和DRV8303,GHZ信号(高侧栅极输出)有转换时,GLX (下栅极输出驱动器)出现突起问题,结果是高电流(3V/GHZ 0.025 欧姆=120A!) 流过。 此电路中的感应电阻为0.025欧姆。 增加停机时间不会影响GLX输出驱动器峰值过高。 我们对板进行了X光检查,以确认DRV8303的暴露垫片已正确连接到地面。
然后,我们设置BOOSTXL-DRV8301板,它的工作方式类似;高侧门驱动器边缘上出现高电流峰值。 我们非常仔细地了解我们的范围,并确认我们正在衡量的是真正存在的。
对于以下图像,在RS重新校准模式下设置了FOC软件以进行电机识别。 电机不旋转。 但是,当电机旋转时,这些峰值仍然存在。
DRV8303 GH下降和GL上升
DRV8303 GH上升和GL下降
DRV8303 GL降压和RSense上的电压
DRV8303 GL上升和RSense上的电压
FET:TI CSD1.854万Q5B
串联栅极电阻:10欧姆
PVDD:48V
控制1:0x0542
控制2:0x0000
栅极驱动峰值电流:0.25 A
PWM模式:6路输入
OCP模式:电流限制
OC调整:VDS 0.730 V
OC/TW模式:两者
并联增益10V/V
DC校准模式Ch1:加载
DC校准模式Ch2:加载
OC关闭时间模式:逐周期
您能否解释GHZ MOSFET的下降边缘高dV/dt转换如何在DRV8303的输出上产生正脉冲?
我们确实将栅极电阻从10欧姆增加到了20欧姆;但它没有任何影响。 我们担心的是,TI MOSFET中的热量会下降。 在45KHz PWM下,TI MOSET可安全处理的最大电阻是多少?
DRV8303的GLX输出的推荐下拉列表是什么?
TI,
您是否有更新,说明为什么DRV8303 (和DRV8301)会出现由于低侧门驱动输出的窄脉冲导致的不良反应?
您好,Steve,
很抱歉回复延迟,感谢您的耐心等待。
1) 您是否尝试在设计中增加DTC电阻值? 我看到您说您已尝试增加停滞时间,此电阻值是否是您调整过的值?
2) 您是否尝试在低侧门上添加10k Ω 下拉电阻器?
3) 将高侧门电阻增加到40 - 50欧姆左右是否会降低测得的电压峰值?
Phil,
1) DTC电阻器(针脚3)是我增加的值。 随着时间的增加,流经尖峰的流量也随着时间的增加而移动。
2)我尝试将电阻器下拉至250欧姆,但没有影响。
3)我将栅极驱动提高到20欧姆,但没有影响。 我将尝试50,但由于PWM频率较高,如果它工作,这可能不是一个可接受的解决方案。
我们使用的电路与电池供电园艺和电动工具(TIDU708)应用手册中用于无刷电动机的1-kW/36-V功率级几乎相同(相同的驱动器,相同的FET)。 图26和27显示了这种通过峰值的流量。 我想知道这种行为的基本原因(驾驶员的电气状况)。
将栅极驱动峰值电流从0.25A增加到0.7A或1.7A会导致流经电流增加。
1)以上范围捕获适用于相位B。相位A的图像相同。相位A和B之间是否存在差异?
2)正在使用48V。 我注意到将电压降低到24V确实降低了DRV8303的GL_X输出脉冲。
3)已连接电机。
1)我们上方的B阶段示波器图像。所有阶段的示波器图像相同。 阶段A是否应具有不同的行为?
2)我们使用48V的驱动系统。 当我们将此电压降低到24V时,来自8303的低侧门驱动脉冲降低。
3)是的,已连接电机。
Phil,
除了增加GHZ引脚的断路(增加栅极电阻器)之外,还需要增加停机时间。 正确吗?
使用DRV8303的DTC电阻器可以增加死时间,并且可以使用InstaSpin-FOC移动软件中的参数更改死时间。 InstaSpin-FOC移动软件是否需要控制死机时间? InstaSpin-FOC移动软件如何添加死机时间是否重要?
这是经典的“米勒效应”。 低侧FET也需要一个跨其电阻器的二极管。 这样,您就可以使用更大的栅极电阻器来降低FET的接通速度,而不会影响栅极驱动器在其它FET接通时将栅极低夹紧的能力。 这在整个行业都很普遍,TI员工应该已经适应了... 祝您好运!
此致,
戴夫
谢谢Steve。 很好地获得您对问题的验证和结果。 感谢您的回复! 较慢的加热时间有所帮助,尽管我不愿意接受此应用中的热量,因为设计不适合它。 我看不到在低电压下控制高侧电源上的高dV/dt是可行的,但我可以看到您使用低电容FET的解决方案会有所帮助。
我在相关的直通电流导致OC故障时遇到了很多问题。 我可以通过感应电阻器看到它。 即使Oc_ADJ_SET设置为最大值,我也遇到了一些间歇性过电流故障。 必须禁用该功能-这并不理想。 由此产生的EMI可能有问题。
Dave,我喜欢你的想法。 我将尝试一些肖特基二极管。 也许还要考虑是否可以使用缓冲器。
你好,Eclipze
正如我在今年1月18日向Steve Riley所说的那样,这个问题可以通过为您的应用中选择的MOSFET正确调整栅电阻器的尺寸来解决。 栅极信号上的峰值是MOSFET快速旋转的伪影,正如我所说,通过选择不同的栅极电阻器和降低栅极转换速度,可以解决这一问题。 这与选择的DTC电阻值无关。
DRV8301/2/3器件都是我们的第一代BLDC栅极驱动器,仅提供三种不同的源/汇电流设置。 我们的新一代器件有更大的空间来调整器件将提供的源/汇闸电流,并在相对闸门开始以1/2桥接配置回转时,在一段时间内集成了2 A的强下拉电流。 这是为了防止此线程中描述的行为类型。
与DRV8303相当的新一代60V BLDC栅极驱动器是DRV8323S。 此设备的数据表可从以下位置获得:
部件中的集成栅极驱动电流称为IDRIVE,我们有一个应用说明,概述了逆变器设计中的正确射门预防,以及我们设备的IDRIVE选择,如下所示:
感谢Phil的意见。 DRV8323S外观令人感兴趣,但作为预览部件,它不可供考虑。 不过,应用说明非常适合通读。 按照您的建议,使用较慢的栅极打开来重新访问测试,但这次使用二极管来帮助更强地关闭。
Phil,您好!
我一直在关注其他IDrive/TDrive零件的发布。 是否可以将其作为选择属性添加到您的网站上? 我认为它们是许多应用的潜在游戏改变器,特别是因为它们通常可以消除*many*离散电阻器和二极管,并提供基于SPI的调谐和优化。 他们值得你给他们所有的炒作!
此致,
戴夫