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[参考译文] DRV8307：将CSD1.854万Q5BT MOSFET与DRV8307配合使用

admin
Guru**** 2377000 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8307, DRV8307EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/570779/drv8307-using-csd18540q5bt-mosfets-with-drv8307

部件号：DRV8307
主题中讨论的其他部件：， CSD8.8537万ND

我使用CSD1.854万Q5BT MOSFET代替 DRV8307 示例示意图中建议的MOSFET。  我在调试定制板时遇到了一些问题，希望有人可以查看我的原理图并查看MOSFET连接。

特别是，我想知道是否有任何栅极驱动器电阻值需要更改。

谢谢。

e2e.ti.com/.../SCHEMATIC1-_5F00_-PAGE1.pdf

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    TI__Guru**** 2377000 points
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    您好，Stephen：

    您遇到了什么类型的问题？
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    TI__Guru**** 2377000 points
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    一些过电流问题。 我已经推出了几个MOSFET，以使该主板正常工作。 栅极驱动器电阻值是否对基本功能至关重要，或者我当前使用的值是否应该非常接近？
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    TI__Guru**** 2377000 points
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    Rick，

    我现在需要的是确认：
    1)示意图连接看起来正确
    2)连接的DRV8307应能合理地驱动这些MOSFET

    也就是说，我的设计没有出现任何重大错误。

    Steve
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    TI__Guru**** 2377000 points
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    您好，Stephen：

    当这些信号转换时，您是否能够同时测量UGH_gate和ULS_gate？ 240欧姆UGH_gate电阻器可能导致高侧栅极缓慢回转，从而导致一定程度的流过。

    您是否尝试用0欧姆电阻器替换R1/R3/R4？
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    TI__Guru**** 2377000 points
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    谢谢，我接下来会尝试一下。
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    TI__Guru**** 2377000 points
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    Phil，

    我将240栅极电阻器更改为0欧姆。  答案大致相同。

    请查看随附的示波器图并告诉我您的想法。  我想知道为什么负载电流在相对较低的1200 rpm转速下高于预期。

    此外，请提供您希望看到的其他信号的列表。

    Steve

    e2e.ti.com/.../Motor-Driver-Debug-Signals.pdf

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    TI__Guru**** 2377000 points
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    我想我真正想学习的是如何优化这种设计，以尽量减少MOSFET产生的热量。
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    部件号：DRV8307

    我需要一些关于定制主板设计的帮助。

    我一直在使用DRV8307EVM板来驱动24V电动机，额定值为8.6A，转速为6000RPM。  我需要以5000rpm的最大转速驱动此电机

    当我使用DRV8307EVM板时，在达到MOSFET的极限之前，使用加载的电动机可以达到大约4000 RPM的转速。  对于我的定制主板，我尝试了另外两个设计完全相同的MOSFET。  问题是，我的定制板在新MOSFET中产生的热量比在相似负载和RPM时在EVM中产生的热量要多得多。  我正在尝试了解我的定制主板的原因以及我可以做些什么来将MOSFET中的热量降至最低。

    在我的定制板上，我开始使用CSD1.854万Q5BT MOSFET。  此后，我尝试了CSD1.8537万NQ5AT部件，它与EVM板上使用的CSD8.8537万ND部件具有类似的门荷规格。  这两种MOSFET的额定电流比EVM MOSFET高得多，但在相同的电机负载下会产生更多热量。

    有人能为改变原理图或优化驱动器电路以尽量减少热量的方法提供一些建议吗？e2e.ti.com/.../6886.motor-schematic.pdf

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    TI__Guru**** 2377000 points
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    您好，Stephen：

    根据您所附的第一线程示波器图解，我有一些建议。

    1. 移除C4，C5和C6是否有助于MOSFET中的电机性能/热量？
    2. 您是否能够在布局中测量相同相位的GHZ和GLX？  可以测量相位U，V或W。 这有助于确定在较高速度下是否存在一定的投照量。
    3. 您的布局是否提供了足够的铜区域来帮助散热MOSFET中产生的热量？

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    Phil，

    有关GHZ和GLX信号，请参阅随附文档的前3页。  第4页显示布局的顶层。  我将尝试您今天上午建议的上限更改，并告知您。

    Steve

    e2e.ti.com/.../0508.Motor-Driver-Debug-Signals.pdf

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    TI__Guru**** 2377000 points
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    我拆下了三个电容器C4，C5，C6，并对我的定制板进行了一些电流测量。  请参阅随附文档的前2页。

    e2e.ti.com/.../1401.Motor-Driver-Debug-Signals.pdf

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    您好，Stephen：

    感谢您提供详细信息。  预计在ISENSE线路上测量的1.8V峰值不会出现，这听起来就像一个直射事件。  这应触发DRV8307上的OCP保护。

    您是否只能放大WHS_GATE信号WLS_GATE信号之间的一个过渡？  还是在较小的时间范围内监控此切换？  如果同时打开桥接器侧面的两个FET，则说明Isen线路上测量的大电流。  

    另外，我们通常不建议在不同电源组件的电极垫上使用热释放槽。  我看到您的感应电阻器以及散装和旁路电容器都在其接地回路上具有热释放。  使用直接连接可以获得更好的电流，并使这些部件能够将热量正确地导入周围的接地线。

    大厅IC上的上升时间也似乎可疑。  看起来信号转换超过输入高阈值需要几毫秒，驾驶员可能会将电机换向为缓慢，从而通过感应系统延迟限制转子可旋转的最大速度。  此霍尔IC线路上是否可以去除任何电容？

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    Phil，

    我按要求放大了一个过渡。  同时缩小显示电流与两个门信号。

    e2e.ti.com/.../Motor-Driver-Debug-Signals2.pdf

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    您好，Stephen：

    感谢您提供图片。 这些浇口过渡看起来没有任何透射，您是否检查了所有三个阶段？

    在三个高端MOSFET上，这些器件的排卸是否连接了明显的铜区？ 您所看到的损害可能是由于MOSFET布局不当，导致设备在正常工作条件下过热。

    您是否将我们的EVM用作正确的热分布和铜面积宽度的参考？