This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BOOSTXL-DRV8323RS:BOOSTXL-DRV8323RS输入电容器

Guru**** 2348490 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/612402/boostxl-drv8323rs-boostxl-drv8323rs-input-capacitors

部件号:BOOSTXL-DRV8323RS
主题中讨论的其他部件:DRV8321RCSD8.8599万Q5DC

你(们)好

我在当前设计中使用DRV8323RS,并使用BOOSTXL-DRV8323RX作为参考设计。 我认为输入电容器C1,C2&C3的连接有点奇怪:为什么它们连接到并联电阻器的"热"端,而不是直接连接到GND,如DRV8321R和CSD8.8599万Q5DC数据表中所示?



此致

Markus

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好Markus:

    我们稍后会就原因作出回应。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Markus:

    将半桥旁路电容器连接到GND或低侧MOSFET电源通常是设计人员的首选项。 这很 可能是意见相互矛盾的原因。

    我的建议是将旁路电容器连接在MOSFET半桥的高侧漏极和低侧电源之间。 这是因为您希望电容器提供MOSFET中的高频电流切换,而不是回路中并联电阻器的电感。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的,我理解。 感谢您的回答!