[参考译文] DRV8432：DRV8432驱动2 TEC

您好，Jon，

这意味着，PWM_A和PWM_B将驱动第一个全H桥，PWM_C和PWM_D将驱动第二个全H桥。 对吧？

>>对于数据表的7.4 部分：
在模式1和2中，PWM_A控制半桥A，PWM_B控制半桥B，依此类推，图8显示了全桥模式操作的应用示例。

但数据表中没有有关完整H形电桥的详细信息。 一个全H桥是否由2个N通道MOSFET和2个P通道MOSFET组成？

>>所有输出FET都是N通道，这就是为什么需要自举电容器的原因。

原因是，我不清楚如何驱动PWM_A和PWM_B 为了我的理解：

如果PWM_A =1且PWM_B =0，则TEC将在加热模式下工作(例如)；

如果PWM_A =0且PWM_B =1，TEC将在冷却模式下工作；

如果PWM_A =0且PWM_B =0 (或PWM_A =1且PWM_B =1)，TEC将不工作。 对吗？

>>您回答正确。

如果是这样，我只能通过PWM输入PWM_A并将PWM_B降低以控制加热级别。 但是在检查其他线程之后，似乎每个周期中PWM_B上都应该出现一个小脉冲来为引导帽充电。 正确吗？

>>这不正确。 您需要在PWM_A上有一个小的脉冲来为引导帽充电，或从CBC电流限制中恢复。

如果是，PWM_B上脉冲的正确时隙是多少？ 在PWM_A变为高电压的同时？ 或者当PWM_A变为低电平时？ 您是否有任何图表/图片来说明这一点？

我还看到在一些应用中，PWM_B是PWM_A的补充 这有什么作用？ 这让我很困惑。

您好，Jon，

-->Jon：如果所有FET都是N通道，我们是否需要考虑PWM_A和PWM_B之间的死机时间？ 我还看到在一些应用中，PWM_B是PWM_A的补充 这有什么作用？

>>>无需考虑死机时间。 停机时间可防止相同输出的高侧FET和低侧FET同时打开。 这是内部控制的。 使用并行模式时，需要添加电感器或铁氧体磁珠，以防止两个输出相互冲突。
>>>这取决于应用程序。 在步进电机应用中，使用互补输出可改变可从绕组中去除电流的速度。

->Jon：在模式1中，只有PWM_A需要一个小号吗？ 还是PWM_B也需要它？

>>>建议也向PWM_B提供小脉冲。 如果已激活，则需要执行此操作来复位逐循环操作。 有关详细信息，请参阅7.4 "设备功能模式"一节。