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[参考译文] DRV8301：VDS检测电路工作

admin
Guru**** 2362820 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8301
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/653561/drv8301-vds-sense-circuitry-working

部件号：DRV8301

我正在使用DRV8301驱动800W BLDC电机。我想知道VDS传感 电路是如何工作的？ (我指的是所有概念，如VDS感应采样率，采样时间以及如何确定VDS电压值？)

我问这个问题是因为在使用OCP时，我的MOSFET有时会正确打开，但有时不会打开！！ (即使VDS小于VDS跳闸点)。 所以，我想如果我知道VDS SENSE的工作原理，我就可以选择能够与OCP一起工作的MOSFET。

数据表中未提供此信息。

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    TI__Guru**** 2362820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Shashank，

    您如何使用VDS监护仪？ 请注意数据表的7.3 ．4.1 部分。

    VDS监护仪不能用于精确的电流调节。

    启用FET时会监测VDS。 如果超过VDS的时间为~1.5us，则故障将禁用FET，具体取决于所选的OCP_MODE。

    您可以使用电流限制模式或仅报告模式 (如7.3 ．4.1 部分所述)并监控nOCTW引脚。 这将帮助您确定何时触发VDS监测器。

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    TI__Guru**** 2362820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Rick，

    感谢您的回复。

    假设我在INH_X或INX_L引脚处给出高输入，然后IC在GH_X (VDD+GVDD)或GL_X (GVDD)处给出高输出。 正如您所说的，如果超过VDS的时间为~1.5us，则故障将禁用FET，具体取决于所选的OCP_MODE。  因此，我的MOSFET应在~1.5us内打开，否则将检测到故障，因为如果MOSFET未 完全打开，VDS将不等于~ 0V，VDS将大于VDS跳闸值。

    我正在使用IRFP260N，其接通延迟时间=17ns，上升时间=60ns，关闭延迟时间=55ns，下降时间=48ns。 这些都是纳米秒！！！ 因此，我的MOSFET应该打开，或者IC不应该出现OCP故障。 但在这种情况下，IC不会打开MOSFET并产生故障。

    您能解释一下为什么会发生这种情况吗？

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    TI__Guru**** 2362820 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，Shashank，

    FET正时参数只是正时的一部分。 DRV8301的GL_x和GH_x源电流和汇电流设置会影响FET的转换速率。 这反过来影响RDSon和VDS。

    通常，最好监视nOCTW引脚，并使用示波器及时反向工作。 对于设备的PVDD1和SL_x，监测引脚SH_x处的VDS非常重要。 使用nOCTW引脚，您可以缩小故障原因范围。

    我建议您尝试电流限制模式，这将限制电流，但不会断言故障。 如果您捕获一些示波器镜头，则说明起来会更容易。