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[参考译文] DRV8303:使用主机MCU进行接地隔离

Guru**** 2359480 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F5329, DRV8303
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/597805/drv8303-ground-isolation-with-host-mcu

部件号:DRV8303
主题中讨论的其他部件:MSP430F5329

我希望隔离DRV8303和主机MCU之间的接地,以防止电机电流通过MCU。  我曾尝试为AGND提供一些隔离,但这导致SPI配置数据丢失。  主机MSP430F5329因传导发射而锁定,直至看门狗无法调用重置。  

下图是布局。  不幸的是,MCU位于输入电源连接和电机输出之间。  我无法更改此拓扑或电动机的当前路径。  作为一项临时措施,我在MCU与DRV地之间增加了10R电阻。

数字隔离器可能有所帮助,例如ISO7141。  难以找到空间。  尽管提供参考电压并具有稳定的SO1接地参考,但仍需要SO2电流反馈。

如果有人有任何建议,我们将非常感谢!

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    您好,
    我认为在您的应用中,问题与DRV8303及其陶瓷电容器有关。
    DRV系列需要仔细布局。 确保将100N全向电容器放置在非常靠近DRV8303的GVDD,DVDD,AVDD和PVDD引脚的位置。
    在驾驶员IC下方放置一个坚实的接地平面。
    您可以查看以下应用说明:
    www.ti.com/.../slva552.pdf

    隔离此应用程序并不容易。 但是,除非电流非常高,否则您可以小心放置来解决此问题。
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    你好,Eclipze

    我同意Murat的上述观点,这很可能是我们设备周围的旁路电容以及在功率FET切换时接地平面上的显著接地颤动的问题。

    我建议为DRV8303和功率MOSFET排卸->接地添加更多的本地陶瓷旁路电容,或尝试更好地隔离功率MOSFET到电源的接地回路,以使回路不会通过MCU下方。
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    谢谢大家。 我希望确保接地路径的电机电流符合预期部分,以最大限度地降低EMC和MCU可能的接地颤动。 我不确定的是如何提供隔离。 如果我可以使用信号接地连接到DRV8303,但将功率级参考连接到PGND,那就太好了。 但是,这并没有像我希望的那样有效。

    您能否建议我如何隔离接地回路,以便电机电流遵循预期路径?
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    你好,Eclipze

    对于PCB EMC/EMI布局建议,我们有以下应用说明:

    www.ti.com/.../szza009.pdf

    有关半桥功率MOSFET布局特性的详细信息,我们有一个由降压转换器团队编写的应用说明。 他们在应用手册中提出的许多建议都与使用我们的栅极驱动器设备进行半桥布局的最佳实践直接相关。

    www.ti.com/.../slyt682.pdf