[参考译文] DRV8701：在单独的电源上操作DRV8701和H形电桥

您好Luis，
非常感谢您的快速响应。 我的理解是，问题不仅在于Vbat下降到10V以下，而且虚拟机在此时仍保持在24V。 在第27页的图33中，仅当VM也低于14V时，才允许Vbat < 10V (14V)。 因此，如果虚拟机也会降至14V以下(即使它仍然高于Vbat)，则不会是问题。 但我从这两个图中了解到，这不仅是一个案例3 szenario，而且在该案例或任何其他案例中，它还超出了VM和Vbat的允许区域。 它就在'允许区域'之外，但我不知道'不允许'意味着什么...没有高侧FET对器件造成危险？

我正在谈论/想到的是szenario的权力。 在这种情况下，我们的线圈(不是电机！) 必须在两侧接地，以防止电磁场仍处于激活状态时线圈自感应(否则会成为点火线圈->危险)。 我们只需保持较低的支持率即可实现这一功能。 因此，当我关闭系统时，整个系统的电压下降时，VM会下降到5.9V以下，而欠压锁定会打开线圈两侧接地的线圈连接，这是一个非常严重的情况，因此我在考虑备用电容器+二极管 (至Vbat)，备份虚拟机，直到线圈中的磁场崩溃，低侧FET可以无危险地打开。 但在这种情况下，szenario Vbat可能会变成几乎0伏，而VM仍然可以保持24伏(来自备用电容器)。

因此，我的问题是...在图33中，在一个案件3中，在"允许区域"之外发生了什么。

它是否会损坏DRV8701或只是使高侧FET停止工作？ (我只需要低侧FET来保护系统并保持线圈接地以防止其自感应)。 抱歉我的英语不好。 如果我需要用更好的语言解释，请告诉我。