This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8328:DRV8328ARUYR预驱动器芯片工作问题

Guru**** 2572075 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1102696/drv8328-drv8328aruyr-pre-drive-chip-working-issue

部件号:DRV8328

大家好,

以下是客户提出的问题,可能需要您的帮助:

DRV8328ARUYR预驱动器芯片无法正常工作。 该原理图是通过参考EVM设计的,根据数据表,当INHx INLx 全部为逻辑0时,SHX处于高阻抗状态。 在测试过程中有2个问题:

问题1:当PVDD以24 V通电时,INHx INLx未发出信号,并且全部为低电压(通电状态),SHX接地为24.44 V,是否正常?

问题2:下桥接器正常打开,当上桥接器上的控制信号打开时,内部高侧PMOS未打开,故障被拉低。 由于SHX有电压接地,VBSTx已在下桥接器打开时完成了33 V接地的自举。 故障的可能原因是什么?

您可以帮助检查此问题吗? 谢谢。

此致,

樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Cherry,

    感谢您的提问! 让我试着回答这些问题。

    1.这不是问题,因为SHX引脚上可能会有少量泄漏电流流经高端MOSFET的主体二极管,将SHX拉至PVDD +二极管压降。 只要高侧VGS电压为0V,这意味着MOSFET关闭,这不会导致任何问题,将所有电源都拉至24.44V。  

    2.起动电动机时,首先需要打开低侧MOSFET,然后再打开高侧MOSFET,以便为自举电容器充电,增强高侧MOSFET。 SHX节点必须通过低侧MOSFET拉至地电位,以将自举电容器正确充电至约12伏,然后高侧MOSFET应能够打开而不会出现故障。

    此致,

    Anthony Lodi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     Anthony Lodi,您好!

    感谢你的帮助。

    由于8328由于SHX8328SHX引408.5735万引脚408.5735万脚上可能会有少量的泄漏电流通过SHDD/MOSFET芯片的高压端[]

    "高侧MOSFET "是否指外部高侧NMOS? “漏电流”是指外部上行NMOS的Gx--SHX-CGS,然后有一些电流返回到其D侧?

    2.</s>8328 8328408.5735万408.5735万启动电机时,您首先需要打开低侧MOSFET,然后再打开高侧MOSFET,以便为自举电容器充电,从而增强高侧MOSFET。 SHX节点必须通过低压侧MOSFET拉至地电位,以将自举电容器正确充电至约12伏,然后高端MOSFET应能够打开而不会出现故障。[/QUOT]

    首先打开下桥,将Cbst充电至GVDD-1.6V,然后关闭下桥,此时Cbst引导至GVDD-1.6Vshx的电压约为32V,原因是问题1。 此时,打开至高压侧的控制信号,发现Cbst从33 V降至29 V,故障拉低。

    Vbst欠压可能由RGS (数据表)中RPU的10K放电触发。 但是,数据表给出的最小值为3.6 V,客户仅使用3 V。 拆下RGS后,故障不会拉低,上部管保持打开。 在所有保护值中,上升和下降的阈值是多少? 是否需要RPU,需要大于10k的电阻器?

    过流保护引脚通过100K电阻器连接到GVDD,测试的VDSLVL电压比手册中给出的最大值高6.7V。 是否正常?

    谢谢,此致,

    樱桃

    [/quote]
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Cherry,

    是的,高侧MOSFET是指外部高侧NMOS。 从SHX引脚流出的DRV可能存在少量泄漏电流,流经外部高侧NMOS的主体二极管,这会将SHX电压拉高,因为泄漏电流通过主体二极管从源流至漏极。 这是预料之中的,不应该是问题。

    客户使用的Cbst的价值是什么? MOSFET的Qg是多少? 客户是否能够提供他们的示意图?  

    外部栅极至源电阻器是可选件,主要是在栅极上添加一些被动下拉电阻,以帮助栅极保持关闭。  如果客户选择保留下拉电阻,我建议将其大幅增加,而不是使用最低值 ,因为10k值似乎对自举电容器的需求太大。

    引导欠压阈值最小为3.9V,典型值为4.45V。 有关详细信息,请参阅数据表中电气特性表的保护电路部分。

    让我与我的同事了解一下VDSLVL引脚电压。

    此致,

    Anthony Lodi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Cherry,  

    客户在VDSLVL引脚处测量的确切电压是多少? 客户能否确认VDSLVL引脚上有100k电阻器连接至GVDD,而没有其他下拉电阻器接地? 根据数据表,您应该会看到VDSLVL引脚上的电压介于3V和5.5V之间,且100k上拉至GVDD。

    此致,

    Anthony Lodi