我有 DRV8353的 SPI 版本。
在3x 模式下驱动单个 H 桥时、当高侧栅极最终降至0V 时、我会看到低侧栅极上的电压下降。 在下图中、黄色是高侧栅极、青色是低侧栅极。
这在过去的1x 模式中明显没有发生过。 H 桥的电源电压相同(48V)。 我根本没有更改我的板。 3倍模式与1倍模式是否有什么不同的情况会导致这种情况发生？ 无论如何、我如何缓解这种情况？
谢谢！
我们遇到的一个问题是使 FET 运行得足够快。 如果可能、我们不希望减少 IDRIVEP、因为这将使 FET 导通时间更长。 我们还可以采取其他措施吗？
此外，我在1x 模式下看到了高电流振铃--这是否出于同样的原因？ 
黄色=高侧、青色=低侧、粉红色=电流放大器输出(SOB)、蓝色=开关节点/相位。 这对我来说有点像示波器拾取、因为所有波形都有、而且我们在 SOB 上有一个输出滤波器、该滤波器不应允许这种频率。 我们以前看到过它会杀死噪声。 你怎么看？
还有一件事。 我意识到我们一直假设这是 dv/dt 导通。 我也可以将波形放在这里、看看我是否正确、或者我是否一直在错误的树中烧条。 黄色是低侧栅极、青色是高侧栅极(测量到接地、我们没有合适的探针来测量高侧源极)。 无论这是什么、在栅极与接地之间添加电容器以提高 FET 上的电容比、几乎完全消除了它。
大家好、
我将布置栅极驱动器的电路。
我们移除了 DRV 的输入滤波器、因为它会在空载条件下产生奇怪的电流波形。 此外，电容器已移至栅极引脚，低侧栅极电容器的底部现在连接到接地，而不是 SENSE_P_x。
