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大家好、
客户使用 DRV8353S 驱动具有霍尔效应的三相无刷电机。
1 、目前有2块芯片烧坏了,两块芯片都在芯片的下桥短路,GLX 和 SPx 短路。 正常情况下为147K、短路后约为5欧姆。 芯片很热、电流很大。
无 刷电机可以旋转、但低速时的电流非常大、约为1A。 无刷电机在高速下很小、大约为0.5A。 当速度较低时、当电机的三个相位被移除时、获得大约1A 的电流。
客户想知道如何解决此问题?
谢谢、
安妮
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大家好、
客户使用 DRV8353S 驱动具有霍尔效应的三相无刷电机。
1 、目前有2块芯片烧坏了,两块芯片都在芯片的下桥短路,GLX 和 SPx 短路。 正常情况下为147K、短路后约为5欧姆。 芯片很热、电流很大。
无 刷电机可以旋转、但低速时的电流非常大、约为1A。 无刷电机在高速下很小、大约为0.5A。 当速度较低时、当电机的三个相位被移除时、获得大约1A 的电流。
客户想知道如何解决此问题?
谢谢、
安妮
您好、Annie、
我们能否查看客户原理图(DRV83353S 和 MOSFET)以及器件 SPI 设置?
我们看到的最常见问题是客户将 IDRIVE 设置得太高- [FAQ]选择最佳 IDRIVE 设置及其重要性
另一种可能是由于布局而导致 GLX 和 SPx 上出现电压尖峰。 请使用示波器进行测量、以查看这些引脚在任何时候是否超出器件的绝对最大额定值。
谢谢、
Matt
您好、Annie、
我可以看到客户正在实施并联 MOSFET、但他们没有在 MOSFET 栅极之间添加电阻器。 当您具有并联的 MSOFET 时、栅极的输入电容永远不会完全匹配、我们已经看到这会在开启 MOSFET 时导致大量振铃。
TIDA-00774提供了一个实现方法示例-我们建议在每个栅极串联3.3至10欧姆之间、以抑制未匹配电容的振荡。
我们还建议在高侧漏极和低侧源极之间添加旁路电容器。 这有助于减轻低侧 MOSFET 源极或感应电阻器上的任何振铃。 通常、这些电容器应在0.1至1uF 的范围内。 如果您观察到相位明显振铃(SHX)、则可以在每个 MOSFET 上实施缓冲器-有关缓冲器设计、请参阅以下技术文章: 链接
谢谢、
Matt