[参考译文] DRV8302：drv8302故障引脚。

您好！

感谢您的发帖！ 该表描述了可能发生的不同故障事件(例如   PVDD 上的 n 欠压事件)、以及驱动器在发生特定故障时为保护器件而采取的措施。 如果 PVDD 发生欠压事件、驱动器将在 FET 的所有栅极上施加弱下拉电阻、并关断所有外部 MOSFET (这也称为 HiZ)。 这样做是为了在该故障期间保护 DRV。

该表解释的另一个问题是故障是否已锁存。 在 PVDD 欠压事件中、此类故障不会锁存、因此一旦故障条件不再存在(PVDD 上升到欠压锁定阈值以上)、DRV 将恢复运行。 如果故障是锁存故障、即使故障状态不再存在、也不会恢复运行。 为了恢复锁存故障的运行、有必要在 EN_GATE 引脚上施加一个复位脉冲。 有关如何清除锁存故障的更多信息、请参阅表的"操作"部分以及数据表。

该表的最后2列讨论了 DRV 用于报告故障的报告方法。 器件上有2个用于故障报告的引脚：nFault 引脚和 nOCTW 引脚。 这些引脚都是漏极开路引脚、因此它们需要一个外部上拉电阻器才能正常运行。 当这些引脚中的一个发生故障并被报告时、该引脚被拉至低电平以指示故障。 该表指示了 nOCTW 引脚或 nFault 引脚是否会被拉低以报告故障。  

nOCTW 和 nFault 引脚可路由到 MCU 作为 MCU 的输入。 然后、MCU 必须读取该引脚上的电压以检测引脚是高电平还是低电平、然后在检测到其中一个或两个引脚被拉至低电平时告知发生故障的时间。 这些引脚有助于在发生故障时通知 MCU、但导致故障的具体细节无法由这些引脚精确确定。 这是因为、正如您在表中看到的、nFault 和 nOCTW 引脚可针对不同类型的故障被拉低(例如、当出现过热警告时、nOCTW 引脚被拉低、 但当其中一个 MOSFET 发生过流事件时、也会被拉低(在该表中、它被称为外部 FET 过载而不是过流事件)。  

有关各种故障和保护特性的更多信息、请参阅数据表的第7.3.4节。

此致、

Anthony Lodi